半导体器件应用基础：半导体器件－负阻器件－转移电子器件.pptVIP

负阻器件 耿氏器件（Gunn Device） 转移电子器件（Transferred Electron Device ） 体效应器件（Bulk Effect Device） 耿氏效应发现 1963年，国际商业机械公司 J. B. Gunn 在研究用锡做欧姆接触的几毫米长的N型GaAs样品时，惊奇的发现，当电场达到超过3KV/cm时，电流随电压的增加，斜率反而减小，变为负值，同时产生电流振荡。振荡频率与电极间距L（cm）成反比。人们把这种效应以发现人的姓氏命名为耿氏效应。能够常数振荡的二极管命名为耿氏二极管。 耿氏二极管是重要的微波器件之一，广泛用于本机振荡器和功率放大器，覆盖的微波频率为1GHz到300GHz。 耿氏二极管结构及选材 体效应器件、转移电子器件 N型GaAs 结构示意图 耿氏二极管结构及选材 《半导体器件物理》施敏，第三版 转移电子效应 导电电子从高迁移率的能谷向低迁移率的高能卫星能谷转移的效应。 转移电子效应 电子在电场作用下： 转移电子效应 不加电场及低电场：n＝n1＋n2 ≈ n1 电场升高到使低能谷中的电子向高能谷中跃迁：n＝n1＋n2 ， n2=?n 当电场达到某个值时：n＝n1＋n2≈ n2 特性曲线 U I E ? 高场畴及耿氏振荡效应 当在耿氏二极管的两端施加电压使器件内部的电场强度最初处于负微分负阻电导区域时，就可以产生微波振荡。 振荡产生