半导体器件应用基础：半导体工艺-离子注入掺杂-光刻.pptVIP

半导体工艺简介掺杂工艺-离子注入 参考书：《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》，电子工业出版社，赵树武等译，2004-10, 第7、8、9和11章 为什么要用离子注入进行掺杂？Why? （1）热扩散的限制 1.横向扩散和位错 2.位错晶体损伤 3.实现浅结困难 4.掺杂浓度控制精度 5.表面污染 （2）离子注入优点 1.无侧向扩散 2.精确控制掺杂的数量及位置 3.离子注入浓度最大值不在表面 4.掩膜（光刻胶、金属膜和二氧化硅） 5.低温工艺 什么是离子注入？What？ 离子注入是将含所需杂质的化合物分子（BCl3、BF3）电离为杂质离子后，聚集成束用强电场加速，使其成为高能离子束，直接轰击半导体材料，当离子进入其中时，受半导体材料原子阻挡，而停留在其中，成为半导体内的杂质。 怎么进行离子注入？How？ 离子注入系统 离化反应室 15-40KeV 质谱分析仪 AsH3 PH3 BF3 怎么进行离子注入？How？ 静电或磁透镜 静电场电极板 终端/靶室 离子束与晶圆作用： 1、晶圆电荷积累。利用电子枪提供电子 2、晶体损伤。高温处理 离子注入系统 离子注入区杂质浓度 投影射程 1、重离子注入（Si、Ge）损伤层 2、 3o - 7o 3、表面不定型层二氧化硅 图形化工艺 图形化工艺—光刻(What? Why?) 图形化工艺目标： 1、在晶圆中和表面上形成图形