半导体器件应用基础：半导体器件－光电器件(2).pptVIP

光电器件 电荷耦合器件（Charge-coupled Device） 电荷耦合器件（Charge-coupled Device） CCD可以用作图像传感器，也可以作为移位寄存器。当用在图像阵列系统，如照相机、摄像机上时，上述功能都能完成。作为光电探测器，CCD也被称为电荷耦合图像传感器或电荷转移图像传感器；作为信号转移器，被称为电荷转移器件。 CCD结构 CCD图像传感器与移位寄存器的结构类似： 栅半透明，金属、多晶硅和硅化物；每个像素的边长小于10微米； 图像传感器彼此靠近； Si、HgCdTe、InSb 表面沟道 埋沟 0.2-0.3?m CCD光电探测器的特点 CCD光电探测器的独特之处是当其暴露在光线下时，没有额外的直流光电流。光照时，光生载流子集合在一起，信号以电荷包的形式被存储、输运及检测。每个CCD都基于一个MIS电容，在高栅脉冲下工作在非平衡状态下。 CCD传感器工作原理 在施加一个大的脉冲之后的瞬间，其能带图如前，栅偏压的极性使半导体成为深耗尽，对空的势阱，深耗尽时的栅电压和表面势之间的关系为： 大表面势对于光生电子形成一个势阱，同时光生空穴扩散到衬底。耗尽层宽度内的内部量子效率接近于100%。正面光照时，总的内部量子效率为： 总的信号电荷密度为： 当电子开始在半导体表面积累时，绝缘层上的电场开始上升(电离的受主为负电荷，积累的电子为负电荷，累加的结果