模拟集成电路设计：CMOS无源器件.pptVIP

大连理工大学 电信学院 * CMOS模拟集成电路设计 大连理工大学 电信学院 * CMOS无源器件 课程目的： 掌握CMOS工艺中无源器件的生成方法 了解0.8um工艺中电容和电阻的基本性能 了解提高器件匹配精度的基本版图原则 掌握电容，电阻，二极管的噪声特性 大连理工大学 电信学院 * 模拟集成电路对电容的要求 良好的匹配精度 低的电压相关系数 高的目标电容和分布电容比 高的单位面积电容 低的温度相关性 CMOS无源器件 大连理工大学 电信学院 * CMOS无源器件 电容的种类与特性： PN结电容 作为寄生电容存在于阱区与衬底之间 标准MOS电容 单位面积电容高，匹配特性好 增加一次注入工艺，对衬底电容与电压相关 积累MOS电容 单位面积电容高，匹配特性好，不要求特殊工艺与掩膜 下极板电阻率偏高，特性难于控制 Poly-Ploy电容 高性能电容的最好实现方法 必须增加数次多晶硅工艺 Metal-Metal电容 与数字工艺衔接较好，电压系数低 单位面积电容偏低，目标电容和分布电容比偏低 大连理工大学 电信学院 * 电容寄生参数 上极板寄生电容0.01－0.001期望电容 下极板寄生电容0.05－0.2期望电容 大连理工大学 电信学院 * CMOS无源器件