电工学课件：7.3半导体三极管.pptVIP

12V 3V 3.7V 0V 5.3V 5V NPN型硅管 PNP型锗管 B E C B E C 7.3.5 主要参数 直流电流放大倍数 交流电流放大倍数 1. 电流放大倍数 和 2. 极间反向饱和电流ICBO和穿透电流ICEO (1)极间反向饱和电流ICBO ?A ICBO + - ICBO越小越好 ?A ICEO 温度上升时，ICEO增加很快 基极开路（IB=0）时集电极与发射极之间的反向电流，称为穿透电流ICEO (2)穿透电流ICEO ICEO越小越好 (1)集电极最大允许电流ICM 当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 (2) 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 3. 极限参数 ICUCE=PCM IC UCE ICM U(BR)CEO 安全工作区 (3)集电极最大允许功耗PCM 过损耗区 ICEO 本次课掌握内容 1、三极管有三个电极，三个区，两个PN结。 2、三极管有NPN型和PNP型 3、三极管具有电流放大作用，此时，发射结正向偏置，集电结反向偏置。IE=IC+IB且IC=βIB 4、三极管输出特性曲线有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。 5、三极管工作区和类型的判断 作业 ：7.6题 * * 上次课复习 1、二极管具有单向导电性。 理想二极管：导通管压降为0； 非理想二极管：（硅管）导通管压降为0.7V （锗管）导通管压降为0.3V 2、稳压管的稳压条件。 7.3 半导体三极管 7.3.1 三极管的基本结构 一. 分类 硅管 按材料 锗管 按内部结构 NPN型 PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 集电极 基极 发射极 P N P B C E PNP型 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：集电结面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 二. 基本结构 以NPN型三极管为例 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 三. 图形符号 B E C NPN型三极管 VT B E C PNP型三极管 VT 7.3.2 三极管的工作原理 三极管有放大、饱和、截止三种工作状态。 一. 放大状态 发射结正偏，集电结反偏。 对NPN管，UC＞UB ＞UE且UBE =0.7V 1. 实验研究 IC mA ?A RB IB EC EB RC mA IE 实验线路 B C E ● 结论： IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.70 1.50 2.30 3.10 1.54 2.36 3.18 0.72 0.001 0.001 实验结果 △IB很小，△IC很大，即为三极管的电流放大作用。 直流电流放大倍数 2) 交流电流放大倍数 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 2. 理论解释 B E C N N P EB RB Ec RC IE IB B E C N N P EB RB Ec RC IE IB IC 集电结反向偏置，从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 B E C N N P EB RB Ec RC IE IB IC 二. 饱和状态 发射结正偏，集电结也正偏。 管压降 相当于“开关”闭合 对NPN管电极电压关系：UC ＜ UB ＞UE 三. 截止状态 发射结反偏，集电结反偏。 相当于“开关”断开 7.3.3 特性曲线 实验线路 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB RC 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 管压降：硅管UBE?0.6~0.8V,锗UBE?0.2~0.3V。 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A (1)放大区 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 又称恒流区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A (2)饱和区 发射结正向偏置，集电结正向偏置。 管压降 相当于“开关”闭合 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A (3)截