电工学课件：7.4MOS管.pptVIP

1、三极管有三个电极，三个区，两个PN结。 2、三极管有NPN型和PNP型 3、三极管具有电流放大作用，此时，发射结正向偏置，集电结反向偏置。IE=IC+IB且IC=βIB 4、三极管输出特性曲线有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。 5、三极管工作区和类型的判断 上次课复习 场效应管则是一种电压控制器件，它是利用电场效应来控制其电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，内部参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性器件。 7.4 场效应管(P152-156) MOS管 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 结型场效应管 场效应管 绝缘栅场效应管（MOS管） 一. 场效应管分类 (Mental Oxide Semiconductor) 二. N沟道增强型MOS管 1．结构 2．符号 3. 工作原理 (1)UGS 对导电沟道的影响 (UDS = 0) (a) 当UGS = 0时，DS 间为两个背对背的 PN 结，管子处于截止状态; (b) 当 0 UGS UTN(开启电压)时，GB 间的垂 直电场吸引 P 区中电子形成负离子区(耗尽层)； 电场使得P区的少子电子上移并与衬底上层空穴复合，形成离子区。 (c) 当 UGS ? UTN 时，衬底中电子被吸引到表面， 形成导电沟道。 UGS 越大沟道越厚。 (2)UDS 对 ID的影响(UGS ≥ UTN) DS 间的电位差使沟道呈楔形，UDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。 UGS UDS ID 漏极和衬底之间的耗尽层变厚，靠近漏极端的导电沟道变薄。 (1) 输出特性（漏极特性）曲线 4. 特性曲线 (2)转移特性曲线 三. N沟道耗尽型MOS管 1．结构 2．符号 Sio2 绝缘层中掺入正离子，在 UGS = 0 时已形成沟道；在 DS 间加正电压时形成 ID。 当UGS ≤ UPN (夹断电压) 0时，沟道消失， ID= 0。 3. 工作原理 4. 特性曲线 转移特性曲线 输出特性曲线 四. MOS管的主要参数和使用特点 1. 直流参数 (1)开启电压UT (2)夹断电压UP (3)输入电阻RGS 2. 交流参数 (1)跨导gm (2)极间电容 3. 极限参数 (1)最大漏极电流IDM (2)最大耗散功率PDM (3)栅源击穿电压U（BR）GS (4)漏源击穿电压U（BR）DS 4. 使用特点 不要超过极限参数，防止感应击穿。 为了防止感应击穿，注意以下几点： （1）存放管子，应使三个电极短路； （2）焊接时，烙铁要接地； （3）测量和使用时，栅源间必须有直流通路。 三极管与场效应管的性能特点 三极管: 电流控制元件，输入电阻较低，双极型器件。 场效应管: 电压控制元件，输入电阻很高，单极型器件，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强。 * *