名师实验一：扩展存储器读写实验62256.docxVIP

实验一 ：扩展存储器读写实验 一.实验要求 编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（ 62256）进行读写操作。 二.实验目的 1．学习片外存储器扩展方法。 2．学习数据存储器不同的读写方法。 三.实验电路及连线 将 P1.0 接至 L1。 CS256 连 GND 孔。 四.实验说明 1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉  MCS51  单 片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。 用户编程可以参考示例程序和流程框图。 本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行 读写操作，并比较读写结果是否一致。 不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠， 程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错） 。读写数据的 选用，本例采用的是 55（ 0101， 0101）与 AA （ 1010 ， 1010）。一般采用这两个数据的读写 操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。 用户调试该程序时， 可以灵活使用单步、 断点和变量观察等方法， 来观察程序执行的流程和 各中间变量的值。 2．在 I 状态下执行 MEM1 程序，对实验机数据进行读写，若 L1 灯亮说明 RAM 读写正常。 3．也可进入 LCA51 的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写 RAM ，在