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电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试
半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期
2010 年 元月 18 日
课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末
70 分
复
合
一 二 三 五 六 七 八 九 十 核人
计
签名
得
分
签
名
得
一、 填空题: （共 16 分，每空 1 分）
分
1. 并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流
子的散射作用不可忽略。
2. 处在饱和 电离区的 N 型 Si 半导体在温度升高后， 电子迁移率会
下降/减小 ，电阻率会 上升/增大 。
3. 电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。
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4. 随温度的增加，P 型半 导体的 霍 尔系数 的符号 由正变为
负 。
5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿
的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电
性能。
6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧
形成氧空位，存在氧空位的 ZnO 半导体为 N/ 电子 型半导体。
7. 相对 Si 而言，InSb 是制作霍尔器件的较好材料，是因为其 电子迁
移率较 高/大 。
8. 掺金工 艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体 Si 中是一种
深能级 杂质，通常起 复合 中心的作用，使得载流子寿命
减小。
9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋
共振实验来测量。
10. 某 N 型 Si 半导体的功函数 WS 是 4.3eV，金属 Al 的功函数 Wm
是 4.2 eV， 该半导体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆
接触 。
11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级
/Ei 。
12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于
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内部多子浓度，表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所
加 电压为 开启电压/ 阈值电压 。
13. 金属和 n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金
属，则半导
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