GaN外延生长流程.pdfVIP

Epi process flow(recipe) introduction l组员：李捷、李英儒、孔凡华、吴耀 衬底材料的选择 衬底材料是半导体照明产业技术 展的基石。不同的衬底 材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封 装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的 展路线。衬 底材料的选择主要取决于以下九个方面： [1]结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或 相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密 度小； [2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强； [3]化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容 易分解和腐蚀； [4]热学性能好，包括导热性好和热失配度小； [5]导电性好，能制成上下结构； [6]光学性能好，制作的器件所 出的光被衬 底吸收小； [7]机械性能好，器件容易加工，包括减薄、 抛光和切割等； [8]价格低廉； [9]大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 用于氮化镓生长的衬底材料性能优劣比 较 衬底材料 Al O SiC Si ZnO GaN 2 3 晶格失配度 差 中 差 良 优 界面特性 良 良 良 良 优 化学稳定性 优 优 良 差 优 导热性能 差 优 优 优 优 热失配度 差 中 差 差 优 导电性 差 优 优 优 优 光学性能 优 优 差 优 优 机械性能 差 差 优 良 中 价格 中 高 低 高 高 尺寸 中 中 大 中 小 GaN类蓝光二极管结构的 展 MIS(metal-insulator-semiconductor)结构 l1969年Pankove等 人用气相外延方法 在蓝宝石上首次生 长出GaN单晶薄膜 ，并制成第一只 MIS结构的蓝光LED 。 同质结构 异质结构 l 异质结：由两块不同带隙的单晶体半导连接而成的 l单质结构 （SH ） 双异质结构 （DH） 单量子阱结构 （SQW ） 多量子阱结构 （MQW） 半导体之间的接触 量子阱材料的选择： 能带的匹配