电路与电子电路分析：5-1半导体基本理论简述.pptVIP

* 如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导性。 热能激发会持续激发自由电子和空穴，产生少量反向饱和电流，和反向电压无关， k = 1.3806505(24) × 10^-23 J/K 括号内为误差值 /wiki/%E7%8E%BB%E7%88%BE%E8%8C%B2%E6%9B%BC%E5%B8%B8%E6%95%B8 电子伏特（electron volt），简称电子伏，符号为eV，是能量的单位。代表一个电子（所带电量为1.6×10-19库仑）经过1伏特的电位差加速后所获得的动能 涉及到能级理论（温度和外加电压，以及材料本身会影响电子的迁移率） 锗：热激发能产生更多载流子，导致反向饱和电流大 * 晶元（Wafer），是生产集成电路所用的载体，多指单晶硅圆片。Wafer的制造虽动辄投资数百亿，但却是所有电子工业的基础。 普通的沙子约有25%?的硅 * 摩尔定律 目前高性能的硅锗芯片只应用于导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。 2002年，IBM 交付了第 一亿件 SiGe 芯片。 石墨烯薄膜可用于提取大气层中的氢，暗示着该材料结合燃料电池更容易从空气中提取氢。 据《世界报》消息，西班牙Graphenano公司（一家以工业规模生产石墨烯的公司）同西班牙科尔瓦多大学合作研究出首例石墨烯聚合材料电池，其储电量是目前市场最好产品的三倍，用此电池提供电力的电动车最多能行驶1000公里，而其充电时间不到8分钟。 * 退出 主要内容 重点 难点 BUPT EE 2011.2 退出 开始 主要内容 1. 半导体基本概念 2. PN结与单向导电性 5-1 半导体基本理论简述 1.半导体基本概念 根据导电特性，物质分为：导体、绝缘体、半导体 导体：存在着大量自由电子，在外电场作用下容易形成电流 绝缘体：其原子或分子的最外层电子为稳定结构，不易产生自由电子 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。自然状态下具有绝缘体特性，而当满足一定外界条件时具有导电能力的材料。 元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成的物质，都可以成为半导体。如：硅（Si）、锗（Ge），原子结构如图： 硅和锗的原子结构模型 十四族元素 1.半导体基本概念 本征半导体（Intrinsic crystal） ：纯净、结构完整、热力学温度T＝0 K时没有自由电子的半导体。 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。 以共用电子的形式，形成共价键结构。 稳定的共价键 1.半导体基本概念 本征激发：在常温下受热引起电子激发的现象。 载流子：本征激发产生自由电子，共价结构中留下了一个空位，称为空穴；空穴的出现，其他共价键上的电子很容易迁移过来，其他地方的电子有可能来填补后一个空穴；在外电场作用下形成电子流和空穴电流。自由电子和空穴都参与导电，二者统称为载流子。 自由电子和空穴所带的电荷极性不同，所以它们的运动方向相反，本征半导体中的电流等于两个电流之和。 自 由 电 子 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 空穴和电子产生过程 1.半导体基本概念 半导体的导电性: 掺杂性、热敏性、光敏性 根据掺入不同的杂质，可生成N型和P型两类半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷、锑）后会出现多余电子，从而形成以自由电子为主的载流子，空穴为少数载流子，这种半导体叫做N型半导体。 P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铟等），形成多余空穴，从而形成以空穴为主的载流子，电子为少数载流子，这种半导体叫做P型半导体。 N型半导体 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 1.1.2 杂质半导体 P型半导体 +3 +4 +4 +4 +4 +4 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 掺杂半导体的导电作用 I IP IN I = IP + IN N 型半导体 I ? IN P 型半导体 I ? IP 半导体的导电能力取决于载流子浓度（数目） 可以通过掺入杂质的方法提高载流子浓度，通过控制掺入杂质的种类和数量可以控制半导体各种电学特性。 载流子浓度与温度有关，温度越高载流子浓度越高，所以半导体的导电能力与温度成正比 2.PN结与单向导电性 P 型、N 型半导体的简化图示 负离子 多数载流子 少数载流子 正离子 多数载流子 少数载流子 2.PN结与单向导电性 PN结：P型和N型半导体通过一定的工艺结合在一起时，交界面形成PN结，PN结是半导体器件的最基本单元结构。 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 复合使交界面形成空