11月微纳电子关键技术第45卷第11期 - 中国半导体行业协会.docVIP

“微纳电子技术”第11期 教授论坛 P621-InP中深能级杂质和缺点(续) 纳米器件和技术 P627-GeSi/Si共振隧穿二极管 P635-小发散角量子阱激光器研究 纳米材料和结构 P639-MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究 P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能影响 MEMS器件和技术 P647-RF MEMS开关发展现实状况 P654-Research Progress of Passive Micromixers 显微、测量、微细加工技术和设备 P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制方法 P668-CMP承载器初步研究 微电子器件和技术 P672-高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展 P677-RFID中EEPROM时序及控制电路设计 市场 Invensense企业取得1 900万美元C系列基金 Yole汇报轻引擎和微微投影仪市场 手机MEMS产业机遇 美新（MEMSIC）公布第一季度财政总况 教授论坛 P621-InP中深能级杂质和缺点(续) 孙聂枫1，赵有文2，孙同年1 （1.中国电子科技集团企业第十三研究所专用集成电路国家关键试验室， 石家庄050051；2. 中国科学院半导体研究所，北京100083） 纳米器件和技术 P627-GeSi/Si共振隧穿二极管 郭维廉1,2,3 （1.天津工业大学信息和通讯学院，天津300160；2.专用集成电