模电复习各章要点.docxVIP

1半导体二极管 1 ?本征半导体在本征激发后导电，载流子浓度与温度 T有关。 P型半导体中多子为空穴，少子为电子； N型半导体中多子为电子，少子为空穴。 掺入杂质后，半导体的导电能力会有显著提高。 PN结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区，有单向导电性：正向电阻很小，反向 电阻很大。 V 二极管的伏安方程是： I ls（e Vt 1）, 其中：l s是二极管的反向饱和电流，与温度有关； VT是温度的电压当量，室温下为 0.026mV。 V 二极管正偏时，I lse Vt，反偏时，I Is 二极管反向偏置电压达到击穿电压 Vbr时，其PN结发生电击穿（雪崩击穿和齐纳击穿）， 此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。 2晶体管 晶体管（BJT ）是双极型电流控制器件，晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、 集电结反偏置。 晶体管的外部电流关系是 Ic Ie、Ic Ib、Ie Ic Ib 晶体管有三个工作区域：放大区、饱和区、截止区，晶体管通过电流控制实现信号放大 的条件是工作在放大区。 晶体管处于正常放大状态时，发射结正偏置，集电结反偏置，为满足此条件， NPN型晶 体管的各极电位关系应该是 Vc Vb Ve ; PNP型晶体管的各极电位关系应该是 Vc Vb Ve。 .当VBE Vth且We Vbe时，晶体管工作于放大区；当 Vbe Vth且Vce Vbe时，晶体管工作 于截止区；当Vbe Vth且Vce Vbe时，晶体管工作于饱和区。 .场效应管（FET ）是单极型电压控制器件，栅源电阻大。场效应管有三个工作区域：可 变电阻区、恒流区、击穿区，场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。 7.放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作，以 N沟道为例，结型场效应 管的Vgs 0后有iD , Vgs越负，iD越小；增强型绝缘栅场效应管的 Vgs Vt （ Vt为正）后有 iD , Vgs越正，iD越大；耗尽型绝缘栅场效应管的 Vgs可正可负，Vgs越大，iD越大，Vgs Vp (Vp为负)时iD 0。 各种场效应管的转移特性所在象限如下图所示 3模拟电子系统的基本问题 i?电子系统中，任意一个电信号源可以用戴维宁等效或诺顿等效的形式来表达。 模拟电子系统的基本分析方法是图解分析法和简化模型分析法。 简化模型分析法用于模拟电子系统的近似估算，使用条件是非线性器件工作于线性区， 且为小信号情况工作状态， 将非线性器件进行线性化处理后， 利用叠加定理将模拟电子系统 的交、直流通道分开估算。 直流通道的画法：所有交流信号源置零，所有电容开路，电感短路，其余元器件保留， 所有电量大写； 交流流通道的画法： 所有直流信号源置零，所有电容短路，电感开路， 其余元器件保留, 所有电量小写。 二极管的直流模型为： 理想模型 (a)特性曲线(b)电路符号 (a)特性曲线 (b)电路符号 正偏vD 0 反偏iD Vd/D(b)电路符号 Vd /D (b)电路符号 正偏V 正偏Vd Vd，硅管为0.7V，锗管为0.2V 反偏iD 0 折线模型 正偏 V 正偏 Vd Vth i。S，对硅管来说 Vth 0.5V, rd 200 反偏i d 0 26mV 26mV Id (mA) rd是静态工作点Q上小信号工作范围内的二极管动态等效电阻： rd 4基本放大电路 由晶体管放大电路的交流通道可画出电1?由晶体管放大电路的直流通道可求出静态工作点; 路的微变等效模型。 由晶体管放大电路的交流通道可画出电 2.晶体管放大电路的静态工作点设置不合理时，会使电路的输出波形发生失真：静态工作 点过高时为饱和失真（NPN管：表现为底部失真），过低时为截止失真（NPN管：表现为顶 部失真）。 3.温度会引起晶体管的 增加、ICBO增加、输入特性曲线左移，总的结果是使静态工作点 上移，容易发生饱和失真。解决的办法是引入直流负反馈（如射极偏置电路） 晶体管的小信号等效模型是： 其中：rbe 其中： rbe rbb（1）：□ 5?晶体管放大电路有三种基本形式：共射电路（输入输出反相位） 相位）、共基电路（输入输出同相位） 共射电路： 、共集电路（输入输出同 +Vo1 BQVCC VBEQR + Vo 1 BQ VCC VBEQ Rb 1 CQ 1 BQ VcEQ Vcc I CQ Rc 动态性能指标: AvRl Av Rl rbe Avs Vo Vs R 〃 rbe Ro RC 射极偏置电路: Vo + Vo Vbq 2 Rb1 Rb2 VCC Vbq Vbeq I eq Icq Re VCEQ Vcc ICQ (Rc Re) ICQ 1 BQ 动态性能指标： 无旁路电容Ce时: A RL V rbe (1 )Re Ri 巴 Rb