原创力文档试验2.5 光电二极管特征参数及其测量
1. 试验目标：
硅光电二极管是最基础光生伏特器件，掌握了光电二极管基础特征参数及其测量方法对学习其它光伏器件十分有利。经过该试验，要熟悉光电二极管光电灵敏度、时间响应、光谱响应等特征。
2. 试验仪器：
GDS-Ⅲ型光电综合试验平台1台；
LED光源1个；
光电二极管1只；
通用光电器件试验装置2只；
通用磁性表座2只；
光电器件支杆2只；
连接线20条；
40MHz示波器探头2条；
3. 基础原理：
光电二极管是经典光生伏特器件，它只有一个PN结。参考“光电技术”第3章3.1节内容，光电二极管全电流方程为
I = （2.5-1）
式中前一项称为扩散电流，也称为暗电流，用Id表示；后一项为光生电流，常见IP表示。显然，扩散电流Id和加在光电二极管上偏置电压U相关，当U=0时，扩散电流为0。扩散电流Id和偏置电压U关系为
（2.5-2）
式中，ID为PN结反向漏电流，和材料中杂质浓度相关；q为电子电荷量，k为波尔兹曼常数，T为环境绝对温度。显然，式（2.5-2）描述了光电二极管扩散电流和一般二极管没有什么区分。
而和入射辐射相关电流Ip为
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