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一霍尔元件 二霍尔集成传感器 。三、霍尔传感器的应用一霍尔测速仪 1、霍尔元件 1.1霍尔元件及霍尔元件的命名方法 霍尔元件是根据霍尔效应进行磁电 转换的磁敏元件,其典型的工作原理 图如图所示。在金属或半导体薄片相 对两侧面通以控制电流,在薄片垂直 方向上施加电场B,则在垂直于电流 和磁场的方向上,即另两侧面会产生 个大小与控制控制电流|和磁场B乘 积成正比的电压,这一现象称 为蕉尔效应所产生的电压叫 UHK K 霍尔元件的灵敏度 R霍尔系数,它反映元件霍尔 效应的强弱,由材料性质决定 单位体积内导电粒子数越少,霍 效应越强,半导体比金属导体 霍尔效应强,所以常采用半导体 材料做霍尔元件 霍尔元件的厚度; B 维库电场限 L 球最大1C来购网站 图2霍尔效应原 ·当磁场和环境温度一定时:霍尔电势与 控制电流/成正比 ·当控制电流和环境温度一定时:霍尔 电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时:输出的霍尔电势 与/和B的乘积成正比 测量以上电阻时,应在没有外磁场和 室温变化的条件下进行。 当磁场方向不垂直于元件平面,而 是与元件平面的法线成一角度θ时, 实际作用于元件上的有效磁场是其 法线方向的分量,即 Bcos e 这时霍尔元件的输出为 Uu- KulBcose 1.2霍尔元件的材料及结 霍尔元件通常采用的半导体材料有 N型锗,锑化铟、砷化铟、砷化镓及磷 砷化铟、N型硅等。锑化铟元件的灵 敏度最高,输出较大,但受温度影 响也较大;砷化铟和锗元件输出虽 然不如锑化铟大,但温度系数小 线性度也好;砷化镓元件的温度特 性和输岀特性好,但价格贵。目前 使用锑化铟霍尔元件的场合较多。 霍尔元件的结构与其制造工艺 有关。例如,体型霍尔元件是将半 导体单晶材料定向切片,经研磨抛 光,然后用蒸发合金法或其他方法 制作欧姆接触电极,最后焊上引线 并封装。而膜式霍尔元件则是在一块 极薄(0.2mm)的基片上用蒸发或外 延的方法制成一种半导体薄膜,然后 再制作欧姆接触电极,焊接线,并最 后封装。由于霍尔元件的几何尺寸及 电极的位置和大小等均直接影响它输 出的霍尔电压,所以在制作时都要很 严格的要求。 1.3霍尔元件的技术参数 霍尔元件的主要技术参数如下 (1)输入电阻R 霍尔元件两激励电流端的直流 电阻称为输入电阻。它的数值从几 欧到几百欧,视不同型号的元件而 定。温度升高输入电阻变小,从而 使输入电流变大,最终引起霍尔电 压变化,为了减少这种影响,最好 采用恒流源作为激励源