第1章二极管及其应用.pptVIP

退出 1.3 整流电路 主要要求： 掌握整流滤波电路有关参数及元器件参数的选择 理解整流滤波电路的电路组成及工作原理 * 退出 第 1 章　二极管及其应用 半导体二极管 半导体基础知识与PN结 整流电路 滤波电路 本章小结 退出 1.1 半导体基础知识与PN结 主要要求： 了解半导体材料的基本知识 理解关于半导体的基本概念 理解PN结的形成 掌握PN结的单向导电作用 退出 1.半导体的特点 半导体是制造电子器件的主要原料，它的广泛应用不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是它的电阻率可以随温度、光照、杂质等因素的不同而呈现显著的区别。 自然界中的物质按导电性能可以分为 半导体导电特性独有的特点 导体 半导体 热敏性 光敏性 1.1.1 半导体的特点 绝缘体 杂敏性 退出 2.本征半导体 常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge），高纯度的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定规律排列，原子间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种纯净的、原子结构排列整齐的半导体称为本征半导体。 硅和锗的外层价电子都是4个，所以都是4价元素，右图是硅和锗的原子结构示意图。 （a）硅原子结构 （b）锗原子结构 退出 这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 价电子（热激发） 自由电子-空穴对 （1）温度越高，自由电子-空穴对数目越多； （2）自由电子-空穴数目相等，对外不显电性。 硅（锗）原子在晶体中的共价键排列 复合 平衡 退出 注意： 半导体与导体不同，内部有两种载流子参与导电——自由电子与空穴。在外加电场的作用下，有： I=In（电子电流）+Ip（空穴电流） 空穴导电的实质是价电子的定向移动！ 退出 3.掺杂半导体 本征半导体实际使用价值不大，但如果在本征半导体中掺入微量某种杂质元素，就形成了广泛用来制造半导体元器件的N型和P型半导体。 根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为 N型半导体 P型半导体 退出 （1）N型半导体——杂质为少量5价元素，如磷（P）； （2） P型半导体——杂质为少量3价元素，如硼（B）。 N 型 磷原子 自由电子 自由电子——多数载流子 空穴——少数载流子 载流子数 ? 电子数 P 型 硼原子 空穴 空穴 —— 多子 自由电子 ——少子 载流子数 ? 空穴数 两种载流子运动演示 退出 注意： 无论是N型还是P型半导体都是电中性，对外不显电性！！！ 退出 1.1.2 PN结形成与特性 什么是PN结？ PN结是P型与N型半导体区域交界处的特殊带电薄层，具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。 退出 载流子浓度差 复 合 (耗尽层) 内电场 阻碍多子扩散帮助少子漂移 扩散漂移动态平衡 注意：动态平衡的PN结交界面上无电流流过，即 I = 0。 内电场 1.PN结的形成 多 子 扩 散 空间 电荷 区 平衡PN结 P区 N区 PN结的形成演示 2.PN结的特性 （1）PN结的正向导通特性——正偏导通（P区电位高于N区） 内电场 外电场 所以，正偏时扩散运动增强，漂移运动几乎减小为0，宏观上形成很大的正向电流 IF 。 外电场越强，正向电流越大，PN结的正向电阻越小。 P区 N区 多子空穴 多子自由电子 正向电流IF + ? U R 退出 ? + U R 2.PN结的特性 （1）PN结的反向截止特性——反偏截止（P区电位低于N区） P区 N区 少子自由电子 少子空穴 反向电流IR 内电场 外电场 所以，反偏时漂移运动增强，扩散运动几乎减小为0，由于少子数目较少，宏观上形成极小的反向电流IR （接近于0） 。 外电场增强，反向电流也几乎不增加，PN结的反向电阻很大。 退出 PN结的单向导电性 要记住： （1）外加正向电压时PN结的正向电阻很小，电流较大，是多子扩散形成的； （2）外加反向电压时PN结的反向电阻很大，电流极小，是少子漂移形成的。 要注意： PN结电路中要串联限流电阻。 退出 退出 1.2 二极管 主要要求： 了解半导体二极管的结构、类型、特性与参数 掌握半导体二极管在电子技术中的应用 退出 1.2.1 二极管的结构与类型