实验15准静态法测量硅—二氧化硅界面态密布分布.docxVIP

准静态法测量硅一二氧化硅界面态密布分布 界面态密度是表征硅一二氧化硅界面性质的一个重要的物理参量。 硅一二氧 化硅界面问题是硅平面器件及集成电路工艺和器件物理中的一个基本问题， 也是 半导体研究的一个重要组成部分。界面态可以起产生、复合中心作用，使 pn结 反向漏电流增加、双极性晶体管小电流时电流增益下降、产生 1/f噪声。界面态 还可以起到散射中心作用，使MOS晶体管跨导降低、频率特性和开关特性伴茶、 阀电压不稳定。由于界面态和体内交换电荷有一个较长的时间常数， 所以对CCD 器件的转移特性有直接的影响。界面态密度与器件制造工艺密切相关，列入电离 辐射损伤界面态密度增加，适当的退火工艺能降低界面态密度。 因此，界面态密 度的测量对于研究器件特性、监控工艺质量、提高器件性能尤为重要。 迄今为止，测量界面态密度的方法很多。高频 C—V法虽然简单，但为了得 到界面态在禁带中的分布，需要借助于图解微分来分析数据，而且精度和灵敏度 不高。温度法测试和计算都很简单，但可测的能量范围较窄，而且灵敏度较低。 电导法有较高的测量精度，但测量不走很烦。准静态法测量简单，不仅能够测出 禁带中交大能量范围内的界面态密度分布，而且能同时测出表面势。 本实验及用准静态法测量硅一二氧化硅界面态密度分布。目的是了解准静态 法测量原理、熟悉准静态 C—V测量刺痛、学会测量和分析 MOS结构中圭一二 氧化硅界面态密度及其分布。 一、 实验原理 界面态是存在于硅一二氧化硅界面处的一些能级，这些能既可以是施主型， 也可以是受主型，在能量上可以连续分布于半导体的整个禁带之中，如图 15.1 所示。 电子在界面态中的填充情况取决于这些能即兴对于费米能级的位置。 如果是 受主型界面态，则接受电子后带负电，不接受电子时为中性。如果是施主型界面 态，则由电子时保持电中性，施放电子后就呈正电性。当半导体表面势发生变化 时，费米能级和表面能既相对位置发生变化， 界面态中电子的填充情况也发生变 化，引起界面态和编导体体内交换点子，并且以某个特征时间常数于体内达到平 衡。因而界面态可以随表面势的变化而发生充放电， 因此可以用一个于此相关的 电容即界面态电容来等效，它与界面态密度成正比。界面态又称界面陷阱电荷。 M 0 图1 硅一二氧化律界面丟示蔥图 金属一二氧化硅一硅的MOS结构作为实验样品，在高频信号作用下的等效 电路如图2（a）所示。图中Cox是氧化层电容、Csc是半导体空间电荷区电容。 因为界面态的充放电跟不上高频信号的变化， 在等效电路中就不出现与界面态有 关的电容。如果测量的信号频率及直流偏压的变化都足够慢， 是见面台的充放电 始终跟得上电压的变化，则必须考虑界面态电容的影响，图 2 (b)即MOS结构 的低频等效电路，途中Css是界面态电容。 (b)国2 (b) 国2 弓结构尊效电踏 仏)高频 低頻 图3是P型衬底MOS结构在高频和低频信号下测量的 C—V特性曲线。在 积累区高频和低频电容都等于氧化层电容 Cox。在耗尽层和弱反型区域，由于界 面态电容只对低频电容有贡献，以呢日拼电容的纸币高频电容大，因此在耗尽和 弱反型区域内可以根据高频和低频电容的差别计算出界面态密度。至打反型区， 由于反型层中的少数载流子浓度只能跟得上低频信号的变化， 使低频电容的值上 升很快，在强反型区低频电容恢复到氧化层电容 Cox的值，而高频电容达到了最 小值。图中Clf即低频电容，Chf即高频电容。 如果在MOS结构上加一个扫描速率很面的线性斜坡扫描典雅，足以维持半 导体的反型曾处于准平衡条件，称 MOS结构的这种变化过程为准静态过程。因 为界面态充放电的时间常数比反型层电荷变化的时间常数短， 因此当反型层处于 准平衡状态，界面态也必然维持在准平衡状态。在保持 MOS结构准静态变化的 情况下，侧来MOS结构C—V特性的方法，即为准静态法。MOS准静态测量结 果和低频测量结果意志。 由图2MOS结构在高频和低频使得等效电路可以得 1 1 ——=——+ - —— (1) C LF Cox Csc Css 将以上二式消去Csc，可以求得界面态电容的表达式为 c SS = c SS = Clf Cox Cox C LF Chf Cox CoxCHF =c ox [ Clf/Cox ChF /Cox ] 1 (Clf/Cox) 1 (Chf /Cox) 式中Clf /Cox、C hf /C ox分别为以氧化层电容归一化的低频和高频电容 因为界面态密度定义为单位面积、单位能量间隔内的界面态能级数，因此, 当表面势变化dVs时，界面态重点和的变化量为 dQ ss =A mqN ss dV s 式中Am为MOS结购金属电极面积。则界面态密度 N ss = N ss = 1 1 dQgs Am q dVg