磁场的测定(霍尔效应法)汇总..pdfVIP

(FB510A 霍尔效应及其应用实验 型霍尔效应组合实验仪) （亥姆霍兹线圈、螺线管线圈） 实 验 讲 义 长春禹衡时代光电科技有限公司 实验一 霍尔效应及其应用 置于磁场中的载流体， 如果电流方向与磁场垂直， 则在垂直于电流和磁场的方向会产 生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于 1879 年发现的，后被称为 霍尔效应。如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制 成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求 自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广泛的应用前景。掌握这 一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。 【实验目的】 1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2．学习用 “对称测量法 ”消除副效应的影响，测量试样的 V H ~ IS 和 V H ~ I M 曲线。 3．确定试样的导电类型。 【实验原理】 1．霍尔效应： 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。 当带 电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产 生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场 EH 。如图 1 所示的半导体 试样，若在 X 方向通以电流 IS ，在 Z 方向加磁场 B ，则在 Y 方向即试样 A A 电极两 侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图 1 （a）所示的 N 型试样，霍尔电场逆 Y 方向， （b ）的 P 型试样则沿 Y 方向。即有 EH (Y ) 0 (N 型) EH (Y ) 0 (P型) 显然，霍尔电场 EH 是阻止载流子继续向侧面偏移， 当载流子所受的横向电场力 e EH 与洛仑兹力 e v B 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有 e EH e v B （1） 其中 EH 为霍尔电场， v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。 设试样的宽为 b ，厚度为 d ，载流子浓度为 n ，则 IS n e v b d (2) 由（ 1）、（2）两式可得： 1 IS B I S B V H E H b R H (3) n e d d ／ 即霍尔电压 A A 电极之间的电压） 与 I B d V H （ 、 S 乘积成正比与试样厚度 成反