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南桥、北桥工作为何?实际各负责哪些方面?
答:以440BX为例,北桥为82443BX主桥芯片(BGA496Pin),南桥为82371EB 1/0(俗名为 P II X4E)芯片(BGA 324Pin)。
北桥主要性能为:
1、 采用四端口加速技术(QPA, Quad Port Acceleration),把 CPU(单/双 P
I)、 AGP 端口、内存和 PCI 总线相互连接起来,并控制这四者的数据传输。
2、 采用 64 位总线接口 ,最大总线工作频率为 100MHz。
3、 64位主内存接口,支持SDRAM或EDO RAM,内存容量最大1GB并 支持 ECC。
4、 32位主PCI总线接口,集成PCI仲裁器(Arbiter)o
5、 支持同步 AGP 接口 。
6、 在所有接口之间都具有数据缓冲器,以适应高数据流量和并发操作的 需要。
南桥主要性能为:
1、 PCI-ISA 桥接器,PCI2.1 版本,支持 3.3V 和 5V33MHZPCI 设备。
2、 支持 Ultra DMA/33 接口标准。
3、 具有 USB 控制器,支持两个 USB 端口。
4、 具有系统管理总线, 支持 DIMM 技术。
5、 支持外部I/O高级可编程中断控制器(APIC, Advaneed Programmable Interrupt Controller)。
何谓 PC-100 规格之存储器,内存凹槽设计如何辩识?
Intel 公司推出 PC100 兼容性规范,定义了严格的电气指标,同时还为母板的设计、 制造提供了规范化文件, 对布线的长度、宽度、 距离、 间隔、 PCB 层数都有严格 的规定,连SPD(SerialPresenee Detect)中的EEPROM参数设置也作了规范。要 满足Intel PC100内存规范,有两个值须满足:TCK(时钟间隔)10ns,TAC(相对时 钟数据读取时间)6ns。但现在没有统一的PC100内存标记方法,很难识别鉴定。
不过满足Intel PC100内存规范的内存,须注明In tel定义的产品号(P/N),—般表示 为:
PCx-abc-def
X:是工作频率,用MHz表示(例如:66MHz、100MHz、133MHz)。
a:最小CL(CAS等待时间),用时钟数表示,一般为“”或3”
b:最小tRCD(RAS相对CAS的延时),用时钟数表示,一般为2”
c:最小tRP(RAS预充电时间),用时钟数表示,一般为“”
d:最大tAC(相对时钟下沿的数据读取时间),一般是6(6ns)或6.5(6.5ns) e: SPD版本号。此处应注明符合In tel的PC-100规范的V1.2版本。
f:保留,值为0。‘
关于内存的发展如下:
286、 386
30Pin
486、 Pentium
Pentium、P n P 皿
Intel i82 0、 i840 芯片组
内 存名称缩写详述:
72Pin EDO DRAM 与 FPM DRAM
168Pin SDRAM 与 EDO DRAM 184Pin RDRAM
FPM DRAM:(Fast Page Mode DRAM,快速页模式 DRAM)
EDO DRAM:(Extended Data Out DRAM,扩充数据输出 DRAM)
SDRAM: (Synchronous DRAM ,同步动态读写 DRAM)
DDR SDRAM(SDRAM D):(Double Data Rate SDRAM,双速率 SDRAM)
SLDRAM:(Synchronous Link DRAM,同步链接内存) DRDRAM:(DirectRambusDRAM)
VCM:(Virtual Channel Memory,虚拟通道内存)
何谓Vcore、V I/O?各种CPU为何?
答: V core为CPU核心工作电压,V I/O为CPU输入输出的工作电压,在Pentium MMX 以前的 CPU 只有单电压,直 MMX 才出现双电压。
WinChip2(IDT):V core3.52V 单电压
MP6 (RISE):V core 2.8V,V I/O 3.3V
M D(Cyrix): V core 2.9V,V I/O 3.3V
K6-2(AMD):Vcore 2.2V,V I/O 3.3V
K6-3(AMD):Vcore 2.4V,V I/O 3.3V
K7(AMD):Vcore 1.6V,V I/O 3.3V
Pentium MMX(Intel):V core 2.8V,V I/O 3.3V
Celeron(Intel):V core 2.0V,V I/O 3.3V
P H(Intel):V core 2.0V,V I/O 3.3V
P 皿(Intel):V core2.0
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