第八讲 CMOS门电路.pptVIP

MOS管的基本开关电路 等效电路 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 二、电压、电流传输特性 三、输入端噪声容限 可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 3.3.5 其他类型的CMOS门电路（P91） 2. 或非门： 3.带缓冲级的CMOS门电路 ②输出的高低电平受输入端数目的影响 解决办法：采用带缓冲级的结构 * 二极管与门 内容回顾 二极管或门 内容回顾 对于N沟道增强型场效应管： 对于P沟道增强型场效应管： 输入为“1”时导通； 输入为“0”时截止。 输入为“0”时导通； 输入为“1”时截止。 内容回顾 OFF ，截止状态 ON，导通状态 VDD VGS(th) N ＋｜ VGS(th) P ｜ VDD S T1 D T2 vi vo vi = VIL =0 截止 导通 v０= VOH =VDD 工作原理： S v０= １ VDD S T1 D T2 vi vo vi = VIH =VDD 导通 截止 v０ = VOL =０ 工作原理： S vi =１ CMOS反相器输入端噪声容限与VDD的关系 CMOS反相器的传输延迟时间（p87) 1.CMOS与非门 如图所示，T1、 T3为两个并联的PMOS， T2、 T4为两个串联的NMOS *A、B有一个为“0”时，T2、 T4至少有一个截止， T1、 T3至少有一个导通，故输出为高电平，Y＝1 一、其他逻辑功能的CMOS门电路 1.CMOS与非门 一、其他逻辑功能的CMOS门电路 **A、B同时为“1”时，T2、 T4同时导通， T1、 T3同时截止，故输出为低电平，Y＝0 如图所示，T1、 T3为两个串联的PMOS， T2、 T4为两个并联的NMOS A、B有一个为“1”时，T2、 T4至少有一个导通， T1、 T3至少有一个截止，故输出为低电平，Y＝0 A、B同时为“0”时，T2、 T4同时截止， T1、 T3同时导通故输出为高电平，Y＝1 故： 上面电路存在的问题：（以与非门为例） ①输出电阻RO受输入状态的影响； 输入端数目愈多，输出为低电平时串联的导通电阻越多，低电平VOL越高；输出为高电平时，并联电阻也多，输出高电平VOH也提高。 ③ 输入状态不同对电压传输特性有影响，使T2、T4达到开启电压时，输入电压不同。 带缓冲级的CMOS门电路其输出电阻、输出高低电平均不受输入端状态的影响，电压传输特性更陡。 例： 分析电路逻辑功能，写出逻辑式（p151)