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1 半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称
杂质半导体。若掺入五价杂质，其多 载流子是 电子 。
2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在 N 型半导体中，
空穴浓度 B 电子浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。
（A ．大于，B．小于，C．等于）
3. 在杂质半导体中，多 载流子的浓度主要取决于 C ，而少
载流子的浓度与 A 关系十分密切。
（A ．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
4. 当 PN 结外加正向 电压时，扩散 电流 A 漂移 电流，耗尽层
E ；当 PN 结外加反向 电压时，扩散 电流 B 漂移 电流，耗尽层
D 。
（A ．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F 不变 ）
5．二极管实际就是一个 PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于
正向偏置时，处于
导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般
_C_ ；普通小功率 二极管的正向导通压降约为_A_ ，反向 电流一般
_D_ 。
（A ．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于1μ A ，D．大于1μ A ）
7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图选择题7 中实
线所示，在温度为 T 时的伏安特性如图中虚线所示。在 25℃时，该二
1
极管的死区 电压为 0.5 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向 电流为
-6
10 安培。温度 T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
i mA
30
o
25 C
T 1
20
10
150 100 50 0 v / V
0 .5 1
-0.001
-0.002
-0.003
图选择题7
v
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