电力电子技术 电力电子技术习题 1半导体器件基础（教材）.docVIP

《模拟电子技术》精品课程 河南经贸职业学院 电子工程系 第一章 半导体器件基础 教学内容： §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型三极管 §1.4 场效应管 §1.5 可控硅 教学要求： 重点掌握各器件的结构、符号、主要特性及应用，特别要注意器件特性的适用范围和条件以及半导体器件的基本应用。对于器件内部的物理过程只要求有一定的了解。 §1.1 半导体基础知识 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体。如金、银、铜、铁等，一般金属都是导体，电阻率(10-6～10-4 Ω·cm)。 绝缘体：有的物质几乎不导电称为绝缘体。如橡 皮、陶瓷、塑料和石英等。电阻率(1010Ω·cm以上)。 半导体：有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。电阻率介于 ( 10-3～109 Ω·cm)。 图1-1 半导体的特点 （1）杂敏性：半导体对杂质很敏感。在半导体硅中只要掺入亿分之一的硼（B），电阻率就会下降到原来的几万分之一。 用控制掺杂的方法，可以人为地精确地控制半导体的导电能力，制造出各种不同性能、不同用途的半导体器件。如普通半导体二极管、三极管、可控硅等。 （2）热敏性：半导体对温度很敏感。温度每升高10℃，半导体的电阻率减小为原来的二分之一。这种特性对半导体器件的工作性能有许多不利的影响，但利用这一特性可以 （3）光敏性：半导体对光照很敏感。光照越强，等效电阻越小，导电能力越强。例如，一种硫化铬（CdS）的半导体材料，在一般灯光照射下，它的电阻率是移去灯光后的几十分之一或几百分之一。 自动控制中用的光电二极管、光电三极管和光敏电阻等，就是利用这一特性制成的。 1.1.2 纯净的半导体或者说不含杂质的半导体，称为本征半导体。如纯净的硅（Si）或纯净的锗（Ge），都可以称为本征半导体。 一、本征半导体的结构特点 以现代电子中用的最多的半导体材料硅锗为例。硅和锗的最外层电子（价电子）都是四个。 SiGe Si Ge 图1-1-2硅和锗的电子结构 在硅和锗晶体中，原子按照一定的顺序形成正四面体的晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而价电子为相临的原子所共有，形成共价键结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4+4+4 +4 +4 +4 +4 图1-1 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 二、本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 当温度升高或受到光照， 价电子从外界获得能量，少数价电子会挣脱共价键的束缚成为自由电子，这种现象称为本征激发。同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 +4 +4 +4 +4 +4 图1-1 2.本征半导体的导电机理 自由电子和空穴是成对出现的，称他们电子空穴对。在本征半导体中，电子空穴对的数量总是相等的。在外电场或其他能源的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，可以认为空穴是一种带正电荷的载流子，所以空穴的迁移相当于正电荷的移动。本征半导体中有两种载流子---自由电子和空穴。两种载流子运动方向相反，形成的电流方向相同。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 半导体与金属导体导电原理的区别： 导体：只有一种载流子－－自由电子 半导体：两种载流子－－自由电子和空穴 常温下，本征半导体载流子的浓度很低，因此导电能力很弱。不过，当本征半导体受到光和热作用时，由于外界能量的激发，就有较多的载流子共价键破裂形成电子空穴对，从而出现大量的的载流子，使得半导体的导电能力明显提升，表现出半导体的光敏、热敏特性。 1.1.3 杂质半导体 半导体对杂质很敏感，有杂敏性。原因是掺入某种微量的杂质，半导体的某种载流子浓度大大增加，导电性能大大加强。 N 型半导体(Negative)：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子型半导体。 P型半导体(Positive)：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴型半导体. 一、N 型半导体 +4+4 +4 +4 +3 +4 硼原子 空穴 +4 +4 +5 +4 多余电子 磷原子 图1-1-5 半导体掺入磷原子 图1-1-6 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素