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Phys. Rev. Lett. 近期刊载南京大学介
电体超晶格课题组研究工作
最近,南京大学微结构国家实验室 (筹)介电体超晶格课题组的喻小强博士、徐平博士
与合作者在光学超晶格光子纠缠源的研究中取得重要进展。最新研究成果 “ Tran sformi ng
spatial entan gleme nt using doma in- engin eeri ng tech nique 发表在美国《物理评论快报》
(Phys. Rev. Lett. 101,233601 (2008)) 上。
纠缠一直是物理学中最引人入胜的话题之一。 光子纠缠态是光量子通信的核心资源。 目
前,最常用的光子纠缠源是通过非线性晶体的自发参量下转换得到的 ,光子纠缠态的时空特
性取决于它的模函数,在传统的双折射匹配的晶体中,人们只能在晶体外通过光束整形或者 在晶体后放置空间滤波器来改变模函数。 这些方案都需要比较复杂的光路, 无法应用在未来
实用化的集成器件中。如何按照人们的需要调控光子的纠缠特性是量子光学当前的研究热点 之一。
喻小强、徐平博士与合作者根据准位相匹配原理, 提出了一个全新的方案 一一利用光学超晶
格横向调制的畴结构来调控光子的空间纠缠性质。 他们让激光束通过一块精心设计的多通道
光学超晶格晶体,通过自发参量下转换产生出了具有路径纠缠的高维双光子对, 并通过远场
亚波长干涉实验,证实了理论设想。这一研究将纠缠源和空间模式控制集成到一块光学超晶 格中,实现了光学超晶格研究从经典光学向量子光学的跨跃, 有望在单光子态的研究和未来 集成量子光学器件中得到广泛的应用。
光子芯片研究取得重要进展 硅基光
子芯片上光非互易传输为光逻辑器件、 光隔离器的研究探索了新的途径
美国加州理工大学研究者和南京大学、
加州大学圣地亚哥分校的合作者一起,
设计了一
种基于线性介质的具有非互易传输特性的
Si基光子芯片。该光子芯片为实现光的单向传输、
光隔离器件和光逻辑器件,光二极管、光晶体管等提供了一条新的有效路径。
信息技术的发展日新月异, 按照半导体集成电路的摩尔定律已经逼近物理极限, 电子逻
辑芯片的量子尺寸限制和功耗问题, 已经成为这一领域持续发展的瓶颈。 因而人们希望光子
能够成为新的信息载体, 光子芯片将成为未来超高速运算的主要信息处理器件, 而光子计算
将成为信息技术发展所追求的新的主角。 光子芯片技术涉及到可与 CMOS工艺集成的光源、
光调制器、光波导、光放大器、光学微腔、光二极管( optical diodes )、光晶体管(optical transistors )等等。而其中具有逻辑处理功能的光二极管是光子芯片的核心问题。 光二极管,
类似于电子二极管一样, 具有单向传输特性, 使得正向入射光可以通过而反向入射的光信号
被完全反射。这个器件将避免光反射信号对初始光信号的干扰, 这些信号将影响光子芯片中
的光源输入和其它光学元器件, 使得整个光子芯片系统失稳。 因此,光二极管又叫做光隔离
器(optical isolator )。
为了实现光的非互易传输,实现光隔离器功能,必须打破材料与器件的时间反演对称性。 传统的技术是采用外加磁场下的磁光介质或者采用非线性材料, 而这两种手段都不利于和现
有硅基CMOS工艺集成,因为 Si材料不具有磁光响应,而且不具有较大的非线性效应。近 年来斯坦福大学也曾经理论上设计过一种基于声波调控非线性跃迁的光隔离器, 但是,该器
件由于需要超高频的声集成因而也是与目前 Si基CMOS工艺不太相容。对于非线性介质,
虽然能够得到较大的隔离比,但是非线性效率较低,造成能量传输功率极小,有很大的能量 损失。为此人们希望能够探索一条新的途径,可以跟 Si基CMOS工艺集成来实现光的非互
易传输,进而实现 Si基光隔离器。
在我们原有声子二极管研究 (Physical Review Letter 106 084301 ( 2011 ))的基础上,
我们和加州理工大学的合作者发展了波矢模式跃迁机制, 并利用量子力学中同时破缺时间反
演对称性(Time Reversal Symmetry )和空间宇称对称性( Parity Symmetry )能产生非对 易现象的原理,在PT对称性破缺的临界点, 在Si基波导上巧妙地引入实部和虚部调制, 实
现了光波导中光的完全单向的波矢跃迁和模式转换。 对称模式从左边入射保持对称模式, 而
从右边入射发生了模式转换, 产生了高阶反对称模。 加州理工大学进而结合其精密的微加工
技术,在实验上完全按照该设计,实现了该种具有非互易传输特性的光子光路。 加州大学圣
地亚哥分校则通过其先进的光学近场扫描像和差分干涉技术,成功地探测到 Si基波导表面
的光传输场分布及其非互易的模式转化现象。整个实验的
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