半导体工艺复习题...docxVIP

填空 20’ 简答 20’ 判断 10’ 综合 50’ 第一单元 1.一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？ 固溶度 2.按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？（ P24） 有坩埚：直拉法、磁控直拉法 无坩埚：悬浮区熔法 3.外延工艺按方法可分为哪些？（ P37） 气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延 4.Wafer 的中文含义是什么？目前常用的材料有哪两种？ 晶圆；硅和锗 5.自掺杂效应与互扩散效应（ P47-48） 左图： 自掺杂效应是指高温外延时， 高掺杂衬底的杂质反扩散进入气相边界层， 又从边界层 扩散掺入外延层的现象。自掺杂效应是气相外延的本征效应，不可能完全避免。 自掺杂效应的影响： ○1改变外延层和衬底杂质浓度及分布 ○2对 p/n 或 n/p 硅外延，改变 pn 结位置 右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质互相扩散，引起 衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化的现象。 不是本征效应，是杂质的固相扩散带来（低温减小、消失） 6.什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？ 1)在某种情况下， 需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面， 还要保持对杂质类 型和浓度的控制， 通过外延技术在硅表面沉积一个新的满足上述要求的晶体膜层， 该膜层称 为外延层。 2)在硅片上使用外延层的原因是外延层在优化 pn 结的击穿电压的同时降低了集电极电阻， 在适中的电流强度下提高了器件速度。 外延在 CMOS集成电路中变得重要起来， 因为随着器 件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。 7.常用的半导体材料为何选择硅？ 1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的  25%；经合理加工，硅能够提 纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。 2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅 1412 ℃锗 3）更宽的工作温度。 用硅制造的半导体件可以用于比锗  937℃。 更宽的温度范围， 增加了半导体的 应用范围和可靠性。 4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学 阻挡层以保护硅不受外部沾污； 氧化硅具有与硅类似的机械特性， 允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲。 8.液相掺杂浓度计算（ P29） 第二单元 1.二氧化硅结构中的氧原子可分为哪几种？（ P66） 桥键氧原子和非桥键氧原子 2.SiO2 的掩蔽作用 硅衬底上的 SiO2 作掩膜要求杂质在 SiO2 层中的扩散深度 Xj 小于 SiO2 本身的厚度 XSiO2 xSiO2 x j D SiO2 DSi 1 x j xj D Si DSiO 2 DSi 1 掩蔽条件 DSiO2 xmin A D SiO2 t SiO2 作掩膜的最小厚度 3.杂质在硅中的扩散方式有哪些？ 恒定表面源扩散和限定表面源扩散 4.半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？ 扩散和离子注入 5.注入离子在耙内的能量损失的过程？（ P130） 注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：核碰撞（ nuclear stopping ）和电子碰 撞 （ electronic stopping ） 6.氧化物有哪两个生长阶段？（ P77） 化学反应控制阶段和扩散控制阶段 7.离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段（√） 8.什么是杂质分凝效应和分凝系数？（ P87） 任何一种杂质在不同相中的溶解度是不相同的， 当两个相紧密接触时， 原来存在某一相中的杂质将在两相之间重新分配， 直到在两相中浓度比为某一常数为止， 即在界面两边的化学势相等，这种现象称为分凝现象。分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数。 9.离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 （×） 10.硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子和空穴（大约 3%-5%），大多 数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。 （√） 11.离子注入会将原子撞击出晶格结构而损失硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部 分或者绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。 （√） 12.什么是扩散工艺？（ P98） 扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约 1000℃的高温、 p 型或 n 型杂质气氛中， 使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散， 达到一定浓度， 实现半导体定域、 定量掺杂的一种工 艺方法，也称为热扩散。 13.氧化增强扩散 / 氧化阻滞扩散 氧化增强扩散：硼在氧化气氛中的扩散存在明显增强现象，磷、砷也有此现象。 原因是氧化诱生堆垛层错产生大量自填隙 Si，间隙 -替位式扩散中的“踢出”机制提高了扩散系数。 氧化阻滞扩散： 锑扩散是以替位方式进行， 氧