相变存储器(PCM)技术基础..docxVIP

相变存储器（ PCM）技术基础 相变存储器（ PCM）技术基础 类别：存储器 相变存储器技术基础 相变存储器（ PCM）是一种非易失存储 设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液 体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器 便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。本文将介绍相变存储器 的基本技术与功能。 发展历史与背景 二十世纪五十年代至六十年 代， Dr.Stanford 1968 年，他发现某些玻璃在变相时存在可逆的电阻系数变 化。 1969 年，他又发现激光在光学存储介质中的反射率会发生响应的变化。 1970 年，他与他的妻子 Dr.Iris Intel 的 Gordon Moore 合作的结果。 1970 年 9 月 28 日在 Electronics 发布的这一篇文章描述了世界上第一个 256 位半导体 相变存储器。 近 30 年后，能量转换装置（ ECD）公司与 Micron Technology 前副主席 Tyler Lowery 建立了新的子公司 Ovonyx。在 2000 年 2 月， Intel 与 Ovonyx发表了合作与许可协议，此份协议是现代 PCM研究与发展的开端。 2000 年 12 月， STMicroelectronics （ST）也与 Ovonyx开始合作。至 2003 年，以