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晶体的电光效应实验报告 现代测控系统集成设计报告 ——晶体的电光效应—泡克尔斯效应实验 姓名：赵明 学号： 3112079008 班级：硕 2022 专业：测试计量技术与仪器 报告日期： 2013 年 1 月 3 日 晶体的电光效应实验报告 目录 一、实验原理 1 二、仪器介绍 7 三、实验内容 9 四、数据处理 11 五、注意事项 12 晶体的电光效应实验报告 一、实验原理 某些晶体在外加电场中，随着电场强度 E 的改变，晶体的折射率会发生改变，这种现 象称为电光效应。通常将电场引起的折射率的变化用下式表示 : 式中 a 和 b 为常数， n0 为 E0=0 时的折射率。由一次项 aE0 引起折射率变化的效应，称 为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔电光效应（ pokells ）；由二次项引起折射率变 化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔效应（ kerr ）。由（ 1）式可知，一 次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中， 二次电光效应则可能存在于任何物质中， 一 次效应要比二次效应显著。 光在各向异性晶体中传播时， 因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同， 光的 折射率也不同。 通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、 振动方向的关系， 在主轴 坐标中，折射率椭球方程为： 式中 n1，n2，n3 为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。如图一所示，当晶体上加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为 图一 晶体折射率椭球 只考虑一次电光效应，上式与式（ 2）相应项的系数之差和电场强度的一次方成正比。由于晶体的各向异性， 电场在 x、y、z 各个方向上的分量对椭球方程的各个系数的影响是不同的，我们用下列形式表示： - 1 - 晶体的电光效应实验报告 上式是晶体一次电光效应的普遍表达式， 式中 γ ij 叫做电光系数 (i=1,2, 6;j=1,2,3) ，共有 18 个， EX 、 EY、 EZ 是电场 E 在 x、 y、z 方向上的分量。式（ 4）可写成矩阵形式： 电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系， 可分为纵向电光效应和横向电光效 应。利用纵向电光效应的调制， 叫做纵向电光调制；利用横向电光效应的调制，叫做横向电 光调制。 晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。 把加在晶体上的电场 方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电光效应，称为纵向电光效应，通常以 KD ?P 类型晶体为代表。 加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应， 称 为横向电光效应 ，以晶体为代表。 LiNbo 3 这次实验中，我们只做晶体的横向电光强度调制 实验。我们采用对 LN 晶体横向施加电场的方式来研究 LiNbO 3 晶体的电光效应。其中，晶 体被加工成 5× 5× 30mm3 的长条，光轴沿长轴通光方向，在两侧镀有导电电极，以便施加均匀的电场。 铌酸锂晶体是负单轴晶体，即 nx=ny=n0 、nz＝ ne 。式中和分别为晶体的寻常光和非寻常 光的折射率。加上电场后折射率椭球发生畸变，对于 3m 类晶体，由于晶体的对称性，电光 系数矩阵形式为 - 2 - 晶体的电光效应实验报告 当 X 轴方向加电场，光沿 Z 轴方向传播时，晶体由单轴晶体变为双轴晶体，垂直于光轴 Z 方向折射率椭球截面由圆变为椭圆，此椭圆方程为： 进行主轴变换后得到： 考虑到 n20γ 22Ex1 ，经化简得到 当 X 轴方向加电场时，新折射率椭球绕 Z 轴转动 45o 图三为典型的利用 LiNbo 3 晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。 图三 晶体横向电光效应原理图 其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的 X 轴，检偏器的偏振方向平行于 Y 轴。因此 入射光经起偏器后变为振动方向平行于 X 轴的线偏振光，它在晶体的感应轴 ’ ’ X和轴Y上的 投影的振幅和位相均相等，设分别为 或用复振幅的表示方法，将位于晶体表面（ z=0）的光波表示为 所以 ,入射光的强度是 当光通过长为 l 的电光晶体后， X ′和 Y ′两分量之间就产生位相差 δ ，即 通过检偏器出射的光，是这两分量在 Y 轴上的投影之和 - 3 - 晶体的电光效应实验报告 其对应的输出光强 I1，可写成 由（ 13）、（16）式，光强透过率 T 由此可见， δ 和 V 有关，当电压增加到某一值时， X ’、Y ’方向的偏振光经过晶体后 产生 λ /2 的光程差， 位相差 δ =π ，T=100% ，这一电压叫半波电压， 通常用 V π或 Vλ /2 表示。 V π 是描述晶体电光效应的重要参数，在实验中，这个电压越小越好，如果 V π小，需要 的调制信号电压也小，根据半波电压值，我们可以估计出电光效