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第二章 集成电路制作工艺;半导体制造工艺分类;1. nMOS晶体管的制造流程;nMOS晶体管的制造流程;nMOS晶体管的制造流程;nMOS晶体管的制造流程;nMOS晶体管的制造流程;nMOS晶体管的制造流程;nMOS晶体管的制造流程;2. N阱CMOS工艺流程;1、硅片的选择;2、制作n阱;3、场区氧化;场氧向有源区侵蚀问题;什么是LOCOS工艺，它有什么优缺点。;4、制作硅栅;5、形成源和漏区;6、形成金属互连线; n阱CMOS剖面结构;第二章 集成电路制作工艺;§2.2.2 深亚微米CMOS结构和工艺; 深亚微米CMOS工艺的主要改进;1、浅沟槽隔离 ;浅沟槽隔离（STI）;2、外延双阱工艺 ; 3、沟道区的逆向掺杂和环绕掺杂结构;逆向掺杂;横向沟道工程：HALO掺杂结构;横向沟道工程： POCKET掺杂结构;4、n＋、p＋两种硅栅 ;5、SDE结构 ;SDE结深减小趋势;6、硅化物自对准结构 ;7、铜互连 ; 先进深亚微米CMOS工艺过程 ; 先进深亚微米CMOS工艺过程（续）