高电压关键技术作业针板DBD的电路仿真模型.docVIP

高电压技术作业 ——针-板DBD放电电路模型 组员： 由强 于淼 赵碧凝 班级： 电力实1001 日期： 5月14日 目录 TOC \o 1-4 \h \z \u 一、摘要 1 二、DBD放电原理 1 1微辉光放电和汤生击穿理论 1 2流注击穿理论 1 三、电路模型建立 2 1 DBD微放电等效电路模型建立 2 1.1微流注放电等效电路 2 1.2微辉光放电等效电路 3 1.3单通道微放电等效电路 3 2 电路参数确实定 4 2.1 空气未击穿部分电容 4 2.1.1 电场强度分布 4 2.1.2 针尖电荷量 5 2.1.3 未击穿部分电容 5 2.2 空气击穿部分电容 5 2.3 绝缘介质等效电容 5 2.4 辉光电流源控制函数 6 2.5 介质击穿电压 6 2.5.1 非均匀电场自持放电条件 6 2.5.2 击穿电压求解算法 7 3 算例求解 8 3.1 电路参数求取 9 3.1.1 空气未击穿部分电容 9 3.1.2 空气击穿部分电容 10 3.1.3 绝缘介质等效电容 10 3.1.4 介质击穿电压 10 3.2 Simulink电路仿真 11 3.2.1 仿真电路建立过程 11 3.2.2 测量和显示模块 12 3.3 仿真结果 12 3.3.1 电路参数 12 3.3.2 结果分析 13 一、摘要 本文将针-板DBD放电等效成微流注放电和微辉光放电两个过程，当电压正向超出击穿电压时，针板间发生微流注放电，当电压反向超出击穿电压时，针板间发生微辉光放电。基于上述原理，我们建立了针-板DBD放电电路模型，并深入建模求取各电路元件参数，最终用Simulink进行仿真求解。 首先，在建立电路模型时，本文将微流注放电和微辉光放电等效成两条并联支路，经过控制两支路开关模拟微流注和微辉光放电过程轮番发生。因为每次空气击穿面积很小，本文又增加一条并联支路等效未击穿部分电容，从而建立起最终电路模型。 然后，为求解电路中各参数，本文首先建立针-板电极间各点电位定解问题，利用Matlab PDE工具箱求解，从而求得各点场强作为求解各参数基础。利用高斯定理，求得电极未击穿部分电容；利用电容定义式求得绝缘介质等效电容和空气击穿部分电容；参考汤森德自持放电条件推导过程，得出非均匀电场自持放电条件，利用二分法搜索得到指定精度击穿电压；利用微辉光放电电压和电流关系式作为微辉光放电支路电流源控制函数。 最终，为了验证模型合理性，本文代入某算例代入模型进行求解，得到该算例条件介质电压波形、空气介质电压波形、总放电回路电流波形、李萨图等，利用2阶辛卜生公式分别对放电支路电流和功率进行数值积分，分别得到单周期抵达介质电荷量和电荷量所带能量。 二、DBD放电原理 1微辉光放电和汤生击穿理论 当DBD放电装置工作在低气压条件下或惰性气体环境中时会展现出均匀放电模式。DBD中均匀放电为微辉光放电。微辉光放电具负辉光区、法拉第暗区、正柱区、阳极辉光区和阳极暗区等形貌特点。汤生击穿理论能够很好地解释微辉光放电形成过程。 汤生击穿理论是由英国物理学家汤生在1903提出，它物理描述为：在自然界中存在高能量射线、放射线、紫外线等，它们入射到放电空间中会引发空间内少许气体分子电离产生少许偶然电子，这些电子被称为种子电子，在电场作用下这些电子向阳极运动，并和分子碰撞，其中部分碰撞会使分子电离，产生一个新电子和一个正离子，新电子和原有电子一起在电场作用下加速向阳极运动，又能引发更多分子电离，电子数目便雪崩式增加，称为电子雪崩，直到气体被击穿产生放电；产生正离子向阴极运动，又会使阴极产生二次电子发射，增加了电子雪崩过程，直至产生二次电子发射等于初始电子发射，从而维持了放电继续。[1] 2流注击穿理论 DBD放电装置在大气压条件下运行时放电空间中绝大多数展现分布不规则丝状放电模式，这种放电细丝从形成到熄灭维持时间大多只有几十纳秒，被称为微放电。当激励电压达成一定阈值时，便会在放电空间引发大量电子雪崩，这些电子在空间电场作用下快速向阳极运动，在几十纳秒内贯穿整个放电通道，形成微流注放电。 流注击穿理论能够很好地解释微流注放电过程。 在介质阻挡放电中，通常把一个微流注形成份为三个发展阶段： 放电击穿阶段。空间气隙中存在少许偶然电子，当气隙间电压达成放电所需值时，在阴极周围偶然电子便充当种子电子，在电场作用下向阳极运动，并不停和气体分子碰撞