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第二章MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 MOS器件符号 MOS器件的阈值电压VTN（P） MOS管的工作原理及表示符号（1） MOS管可分为增强型与耗尽型两类： 增强型是指在栅源电压VGS为0时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才能形成感生沟道的MOS晶体管； 耗尽型是指即使在栅源电压VGS为0时MOS晶体管也存在导电沟道。 这两类MOS管的基本工作原理一致，都是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小 。 MOS管的工作原理及表示符号（2）： 当栅源电压VGS=0时，源区（n＋型）、衬底（p型）和漏区（n＋型）形成两个背靠背的PN结，不管VDS的极性如何，其中总有一个PN结是反偏的，所以源漏之间的电阻主要为PN结的反偏电阻，基本上无电流流过，即漏电流ID为0，此时漏源之间的电阻很大，没有形成导电沟道。 当栅源之间加上正向电压，则栅极和p型硅片之间构成了以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向p型衬底的电场（由于绝缘层很薄，即使只有几伏的栅源电压VGS，也可产生高达105~106V/cm数量级的强电场），这个电场排斥空穴而吸引电子，因此，使栅极附近的p型衬底中的空穴被排斥，留下不能移动的受主离子（负离子），形成耗尽层，同时p型衬底中的少子（电子）被吸引到衬底表面。 MOS管的工作原理及表示符号（3）： 当正的栅源电压达到一定数值时，这些电子在栅极附近的p型硅表面便形成了一个n型薄层，通常把这个在p型硅表面形成的n型薄层称为反型层，这个反型层实际上就构成了源极和漏极间的n型导电沟道。由于它是栅源正电压感应产生的，所以也称感生沟道。显然，栅源电压VGS正得愈多，则作用于半导体表面的电场就愈强，吸引到p型硅表面的电子就愈多，感生沟道（反型层）将愈厚，沟道电阻将愈小。 感生沟道形成后，原来被p型衬底隔开的两个n＋型区（源区和漏区）就通过感生沟道连在一起了。因此，在正的漏极电压作用下，将产生漏极电流ID。一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压叫做开启电压Vth。 注意：与双极型晶体管相比，一个MOS器件即使在无电流流过时也可能是开通的。 MOS管的工作原理及表示符号（4）： 当VGS≥Vth时，外加较小的VDS，ID将随VDS上升迅速增大，此时为线性区，但由于沟道存在电位梯度，因此沟道厚度是不均匀的。 当VDS增大到一定数值（例如VGD=VGS，VDS=Vth），靠近漏端被夹断，VDS继续增加，将形成一夹断区，且夹断点向源极靠近，沟道被夹断后，VDS上升时，其增加的电压基本上加在沟道厚度为零的耗尽区上，而沟道两端的电压保持不变，所以ID趋于饱和而不再增加。另外，当VGS增加时，由于沟道电阻的减小，饱和漏极电流会相应增大。在模拟电路集成电路中饱和区是MOS管的主要工作区。 若VDS大于击穿电压BVDS（二极管的反向击穿电压），漏极与衬底之间的PN结发生反向击穿，ID将急剧增加，进入雪崩区，此时漏极电流不经过沟道，而直接由漏极流入衬底。 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 NMOS沟道电势示意图（1） NMOS沟道电势示意图（2） I/V特性的推导(1) I/V特性的推导(2) I/V特性的推导(3) I/V特性的推导(4) NMOS管VGSVT、VDS VGS?VT时的示意图 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） 饱和区MOSFET的I/V特性 MOS管在饱和区电流公式 三极管区的MOSFET 饱和区MOSFET的I/V特性 MOSFET的跨导gm MOS管工作状态的判断 MOS管的开启电压VT及体效应 注意： 器件的阈值电压主要通过改变衬底掺杂浓度、衬底表面浓度或改变氧化层中的电荷密度来调整，对于增强型MOS管，适当增加衬底浓度，减小氧化层中的正电荷即可使其阈值大于0；而氧化层中的正电荷较大或衬底浓度太小都可形成耗尽型NMOS 。 实际上，用以上方程求出的“内在”阈值在电路设计过程中可能不适用，在实际设计过程中，常通过改变多晶与硅之间的接触电势即：在沟道中注入杂质，或通过对多晶硅掺杂金属的方法来调整阈值电压。比如：若在p型衬底中掺杂三价离子形成一层薄的p＋区，为了实现耗尽，其栅电压必须提高，从而提高了阈值电压。 MOS管的开启电压VT及体效应 MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 考虑沟道调制效应后的跨导gm MOS管跨导gm不同表示法比较 亚阈值导电特性 MOS器件版图 MOS器件电容 MOS管的电容： 栅与沟道之间的栅氧电容 C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅氧电容εox/tox； 沟道耗尽层电容： 交叠电容