两片IR21014个NMOS做了一个全桥驱动.docxVIP

1 1 IR2101是半桥驱动，当然IR也有全桥的驱动，但因为手上正好有IR2101,所以就用两片IR2101+4个NMO做了 一个全桥驱动。 介绍： Datasheet上给出的参考电路如下： 1 1 ：0?! 原理分析： 下桥导通不用分析，关键是上桥。 ? NMO需要在G-S极加10V?20V电压才能完全导通。C1和D1的作用是与负载（P1）组成一个BOOS升压电路， 在VB脚上产生一个VCC+12啲电压，芯片会用VB脚的电压来驱动NMOSh管。C1正常升压的前提是IR2101 先开通下管（Q4，给C1充电，然后再开上管（Q2）;如果上桥需要保持一个比较长的时间则需要重复充 电 的动作来保证VB脚的电位不会低于VCC+10MC1要求是低漏电耐纹波长寿型的）。 ? 如果半桥恒导通，即Q2和Q3恒导通，这样上管Q2的S极电位就变成了 VCC而G级必须比S级高10V?20V 才能保持Q2的DS导通，否则管子会进入线性区开始发热。 ? 如何才能半桥恒导通：使用主动升压电路来代替 D1 C1,主动升压到VCC+12V输入IR2101的VB脚，C2保 留D1去掉。 ? D3?D6的作用：关断时为快速泄放MOS管 GS寄生电容上的电荷一般采取在限流电阻上并一个二极管的做法， 这样可以加快关断速度。 注意事项： ? 上桥应该和同半桥的下桥互补导通（Q2Q4，而且两个IR2101都应该这样，否则长期保持导通的上桥升压电容充不上电。 ? 自举电容大PWM周期可以大，电容小PWI周期小。