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A
1.中文:暗饱和电流
英文:Dark Saturation Current
解释:没有光照的条件下,将 PN 结反偏达到饱和时的电流。降低暗饱和电流利于提高电池品质
在以下的理想二极管公式中,I =流过二极管的总电流; I0 = “暗饱和电流”, V = 加在二极管两端的电压
B
1.中文:包装密度
英文:Packing density
解释:组件中被太阳能电池覆盖的面积对比于整个组件的面积。它影响了组件的输出功率及工作温度
2.中文:背电场
英文:Back Surface Field
解释:在电池背面由于重掺杂引起的电场。该电场会排斥少数载流子以使它们远离高复合率的背表面
3.中文:背面反射/底面反射
英文:Rear Surface Reflection
解释:穿过电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池,增大吸收概率
4. 中文:本底掺杂
英文:Background Doping
解释:电池衬底的掺杂浓度
5.中文:表面制绒
英文:Surface Texturing
解释:用物理或化学的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙,增大光捕获,减小反射
6.中文:并网系统
英文:Grid-connected Systems
解释:并网系统指由光伏组件供电的,接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池
7.中文:薄膜太阳能电池
英文:Thin-film Solar Cells
解释:薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的,厚度从几微米到几十微米不等。成本较
但效率普遍较
8.中文:复合
英文:Recommbination
解释:又称为载流子复合,是指半导体中的载流子(电子和空穴)成对消失的过程。
9.中文:表面复合速率
英文:Surface Recombination Velocity
解释:当少子在表面消失时,由于浓度梯度,少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复合的强
弱。
C
1.中文:掺杂
英文:Doping
解释:在本征半导体里加入施主或受主杂质(通常是磷或硼)使半导体内自由载流子浓度变高并使其具有
p 型或 n 型半导体的性质
2.中文:串联电阻
英文:Series Resistance
解释:由电池体、电极接触等产生的分压电阻。电池运作时,部分电压降在电池的串联电阻上,影响了电
池输出效率
D
1.中文:大气质量/大气光学质量
英文:Air Mass
解释:定义为1/cos(太阳与法线夹角)。表征太阳光到达电池前穿越的大气厚度。不同的 AM 值还对应不
同的太阳光谱
2.中文:带隙
英文:Band Gap
解释:半导体导带与价带之间的能级差。常温下,本征硅的带隙是1.1eV
3.中文:导带
英文:Conduction Band
解释:又名传导带,是指半导体或是绝缘体材料中,一个电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价
带(valence band ),而所有在导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。
4. 中文:电池工作温度
英文:Cell Operating Temperature
解释:太阳能电池在受到光照激发产生电流时的实际温度。工作温度通常高于标准测试条件(STC)规定的
25摄氏度, 并且会影响电池的开路电压
5.中文:电池互联
英文:Cell Interconnection
解释:将电池板串联一起组成电池组件
6.中文:电池降格
英文:Cell Degradation
解释:电池降格指组件在户外工作一段时间后,效能降低。对晶硅电池来说原因包括:电极脱落或被腐蚀,
电极金属迁移透过 P-N 节而降低了并联电阻,减反膜老化,P 型材料中形成了硼氧化物 等
7.中文:电流电压特性
英文:Current-Voltage Charateristic
解释:又称为伏安特性,是电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性,常用伏安特
性曲线来表征。
8.中文:电子空穴对
英文:Electron-hole Pair
解释:半导体中,吸收了一个光子能量的电子离开原子束缚,成为自由载流电子,原来的原子则产生了正
电荷,等效于一个孔穴,它们合称电子空穴对
9.中文:独立系统
英文:Stand-alone Systems
解释:不接入公用电网的独立光伏发电系统,通常需要蓄电池蓄能以备夜间及阴天使用,也常装备柴油发
电机作为补充
10.中文:短路电流
英文:Short Circuit Current (Isc)
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