双极晶体管幻灯片.ppt

微电子器件与IC设计;第 3 章 双极型晶体管;3.1 晶体管的基本结构及杂质分布;3.1 晶体管的基本结构及杂质分布;;;3.1 晶体管的基本结构及杂质分布;; NPN晶体管的几种组态;;各区少子分布;NPN晶体管的电流转换;3.2.2、发射效率及基区输运系数;;; 1.共基极直流电流放大系数 2.共射极直流电流放大系数 ;; 晶体管放大三要素：;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3.1 均匀基区晶体管的电流增益 均匀基区晶体管直流电流增益推导思路 A、对发射区、基区、集电区分别建立扩散方程 B、利用波??兹曼分布关系建立边界条件 C、解扩散方程得到各区少子分布函数 D、利用少子分布函数求出各区电流密度分布函数 E、由电流密度分布函数得到jne , jnc , jpe 。 F、求出发射效率和输运系数 G、得到共基极和共射极电流放大系数;;坐标：;一、少数载流子分布 （1）基区“少子”电子密度分布;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;;;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;;3.3 晶体管的直流电流增益;;;3.3 晶体管的直流电流增益;;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;;2. 发射区重掺杂效应对电流放大系数的影响;2）俄歇复合;;表面复合对基区输运系数的影响可表示为; 共射极输出特性曲线上 VBC ＝0 点的切线与 VCE 轴负方向交于一点，该点电压称为Early电压， ;3.4 晶体管的特性参数;3.4.2 晶体管的反向电流;二、反向电流的来源 实际的晶体管反向电流应包括反向扩散电流，势垒产生电流和表面漏电流。 对Ge管：主要是反向扩散电流 对Si管：主要是势垒产生电流，表面电流视工艺而定 ;3.4.3 晶体管的击穿电压; 3.4.4 基极电阻;;3.4.5 晶体管的频率特性参数;3.5 双极晶体管直流伏安特性 3.5.1 均匀基区晶体管直流伏安特性;58;于是得到发射极电流;集电极电流;61;以上各式说明双极晶体管的端电流与其电压具有指数关系，与PN结的直流伏安特性相似； 但是，晶体管是由两个相距很近的PN结构成，其端电流应与二结的结电流有关，上式也反映了晶体管的直流特性和单个PN结的直流伏安特性有不同，两个结之间存在相互影响。;输入特性曲线;输出特性曲线;;;3.5.2 Ebers-Moll 模型;1. E-M 方程;1. E-M 方程;同理，对倒向晶体管;由图;代入式（3.5.6）、（3.5.10）得E-M方程;对照式（3.5.1）、 （3.5.2）得E-M方程互易定理;2. EM1模型; ;对 有;上述二式均可等效为一个电流源与一个二极管并联，如下图所示;一、晶体管的工作状态 晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定，如图可分为三个区。当晶体管处于倒向运用状态时，也同样存在以上三个区，但截止区和饱和区是一样的。只注意反向放大区即可。;各工作区中结的偏置情况和电流关系;;小结：饱和态晶体管的特点：; 在放大电路中，晶体管作为放大元件；但在逻辑电路中，晶体管是作为开关元件的。 ;三、正向压降和饱和压降;四、晶体管的开关过程;1、延迟过程 2、上升过程 3、贮存过程 4、下降过程;;3.7 小结：BJT的特点;输入电容由扩散电容决定;缺点：