正常磁电阻效应实验.docx

正常磁电阻效应 【实验目的】 1、 了解磁阻传感器的工作原理； 2、 研究磁阻元件铺化(InSb )与磁场强度变化的关系： 3、 观察磁电阻的交流特性(倍频效应)。 【实验原理】 横向磁阻效应： 通以电流的导体或半导体处丁?磁场中时，当磁场与电场相垂直时，运动的载流子将受洛仑兹 力的作用而发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。同时由于載流子运动轨迹的变 化，导致电子碰撞几率增加，迁移率卜降，电阻率增人，这种现象称为横向磁阻效应。 磁阻的大小： 通常用电阻率的相对该变量来表示磁阻的大小，RPAp/po表示，Po是零磁场时候的电阻率。 同吋因为电阻值和屯阻率之间的正比关系，也町以用磁阻传感器的屯阻值相对改变駅AR/Ro 来表示。 物理磁阻效应： 由霍尔效应原理町知，在匕图情况卜达到平衡的电子速度是： 为电子运动速度VVb时，电子将会沿着洛伦兹力的方向偏转，使得外加电场方向的电流密 度减小，从而引起电阻值的变化.这种现彖称之为物理磁阻效应。町用下式表示： 沪1+輻盯 上式中“;表示空穴霍尔迁移率。 几何磁阻效应： 在相同的磁场中，由丁?磁阻元件的几何形状不同而产生的电阻值不同的现级称之为几何磁阻 效应。近似的情况下，引入形状系数g以后，可将(2)式改写如下： 2=1+畑）“ ⑶ g和材料的长、宽以及霍尔角有关。 钱化钢（InSb）是III-V族化合物半导体，它的能带与最简能带模型相似，能带极值都 位于布里渊区中心，属于直接跃迁型。InSb晶体结构为闪锌矿，晶格常数为6.48A。它与 温度的关系为： =7xlOsr,6 （cm2/V-s） 【实验仪器】 MR-2型磁阻效应实验仪、数「丿丿川农 【实验内容与步購】 1、测帚:电磁铁励磁电流匚与电磁铁气隙中磁感应强度B的关系（磁化曲线）： 1） 连接试验仪传感器接II，通电后预热lOmin,调零至亳特仪显示O.OmT； 2） 输入电磁铁励磁电流，并逐步增人励磁电流，记录相应的磁感应强度值; 3） 绘制LT关系曲线，并用最小二乘法做曲线拟合。 2、测量磁感应强度和磁电阻大小的关系： 1） 按要求连接实验线路： 2） 由测量电路两端的电压值和电流值算出半前磁阻传感器电阻值人小，同时通过控制 励磁电流大小可以改变磁感应强度的大小： 3） 求出AR//?0和B的关系。绘制AR/Ro和B的关系曲线，并在弱磁场和强磁场条件卜. 分别进行曲线拟介，判断实验磁阻传感器的工作范曲I。 【数据处理】 1、测最电磁铁励磁电流I■与电磁铁气隙中磁感应强度B的关系（磁化曲线）: I/mA 1 50 100 150 20C 250 300 350 400 B/mT 0 0 17.8 35.7 53.8 72.5 90.7 109 2 128.1 146 2 I/mA 450 500 550 600 65C 700 750 800 B/mT 1648 183 0 201 6 219.8 23S2 256 3 274 8 292.6 线性拟合曲线如下 B/mT ——线性(B/mT) ——线性(B/mT) 经过拟合Z后可以看到所测数据Im和B成线性关系.求相关系数为1.说明与实验预期吻 合得很好。 2、测量磁感应强度和磁电阻大小的关系： 记录磁阻传感器两端电流值和电床值以及磁感应强度如卜（80组）: 1/mA 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 B/mT 0 3.5 7.1 10.5 14.2 17.6 21.5 24.9 28.6 32.1 35.9 U/mV 405.1 405.7 407.0 408.8 411.5 414.7 418.7 423.1 428.4 433.8 439.9 1/mA 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 B/mT 39.4 43.0 46.7 50.5 53.9 57.7 613 64.9 68.6 723 U/mV 446.2 452.7 459.9 467.5 474.5 482.7 4903 498.2 506.0 513.9 1/mA 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 B/mT 76.0 79.8 83.4 87.2 90.6 94.4 98.2 101.7 1053 109.1 U/mV 521.8 529.9 537.1 544.2 550.3 556.5 561.7 567.0 571.6 576.2 1/mA 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 B/mT 112.7 116.4 120.1 123.9 127.5 131.2 134.9 138.6 142.3 145.9 U/mV 580.4 584.7