MOSFET的栅极失效分析.pptxVIP

MOSFET 的栅极失效分析 摘要：随着 MOSFET 器件尺寸的减小和栅氧化层厚度的减薄，栅极失 效变得愈发显著，对 MOS 器件和电路可靠性的影响也愈发严重，成为 限制器件及电路寿命的主要因素之一。本文从 MOSFET 的设计、封装、 实际应用三方面来阐述 MOSFET 栅极失效的原因，同时提供几点解决 方法。 关键词：MOSFET；栅极失效；封装 1.引言 MOSFET 即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种用途广泛 的电子器件。MOSFET 作为电压控制型器件，具有栅极输入阻抗高， 驱动功率小，电流关断能力强，开关速度???，开关损耗小等优点，在 功率电源、家用电器、无间断电源（UPS）和自动系统等方面应用广 泛。 然而，MOSFET 的栅氧在工艺设计中，会受到漏电流、导通电阻、 功率损耗等参数的限制，导致 MOSFET 栅氧固有的脆弱性；此外，在 封装制造过程中受到静电、应力、环境等因素的影响，也会对栅氧造 成损坏，导致栅极失效，必须采取相应的制造控制措施，才能有效控 制不良率，提升封装成品率。 2.MOSFET 的栅氧层的限定 栅极控制器件电流的开通和关断，多数用多晶硅材料制作而成， 栅极下面就是栅氧化层，一般是 SIO2，作为 MOS 的绝缘栅介质。栅;氧层厚度 tox 影响沟道电阻的大小;3;4