多晶硅太阳电池.docxVIP

一期太阳电池生产大致分为: 制绒 清洗 扩散 刻蚀 PECVD 印刷烧结 测试分档 制绒 目的： ?去除损伤层 ?形成减反射绒面（陷光结构） 多晶制绒: SCHMID大致构造 丄“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。 多晶制绒原理： 在酸性溶液的腐蚀作用下硅片表面产 生蜂窝状绒面，该腐蚀现象可以用氧化化 学腐蚀的理论进行解释。化学反应方程如 下： 硅被HN03氧化，反应为: 用HF去除SiO2层，反应为: 总反应为: 生产规范： 不允许手直接接触硅片，需佩戴PVC手套。手套污 染后必需更换。 制绒后硅片上表面：颜色较亮 制绒后硅片下表面:颜色较暗（作为扩散面） 注意事项^ -制绒设备运行过程中必须确保负压排风系统运行正常。 -制绒设备的观察窗在生产过程中除维修外必须关闭，如 确实需要开启，处理完问题后必须及时关闭；设备运行 过程中，严禁将身体的任何部位伸入设备内，任何情况 下严禁单独在设备内工作。 -在使用腐蚀性化学制品时必须做好防护工作。 -设备使用过程中各部位必须保持清洁，要求定期清理碎 片和清洗槽体。 -操作人员必须按要求佩戴好防护用品，严禁裸手接触硅 片。 工艺关键控制点： 1、 腐蚀深度，即硅片减少的厚度（腐蚀速率） 2、 溶液配比，自动补液量 I 3、 温度（制绒槽反应的温度 I 4、带速，制绒槽循环流速等 清洗 目的：为了保证多晶电池制绒后