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功率 MOS 管的五种损坏模式详解 第一种：雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS 的电涌电压，而且达到击穿电 压 V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现 象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖 峰电压超出功率 MOSFET 的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起 雪崩破坏。 典型电路： 第二种：器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两 种。 直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热 ●导通电阻 RDS(on)损耗（高温时 RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加） ●由漏电流 IDSS 引起的损耗（和其他损耗相比极小） 瞬态功率原因：外加单触发脉冲 ●负载短路 ●开关损耗（接通、断开） * （与温度和工作频率是相关的） ●内置二极管的 trr 损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的） 器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致 破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的 发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。 第三种：内置二极管破坏 在 DS 端间构成的寄生二极管运行时，由于在 Flyback 时功率 MOSFET 的寄生双 极晶体管运行， 导致此二极管破坏的模式。 第四种：由寄生振荡导致的破坏 此破坏方式在并联时尤其容易发生 在并联功率 MOS FET 时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高 速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容 Cgd(Crss)和栅极引 脚电感 Lg 形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件 (ωL=1/ωC)成立 时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极 -源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电 压通过栅极-漏极电容 Cgd 和 Vgs 波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动 作引起振荡破坏。 第五种：栅极电涌、静电破坏 主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过 电压破坏和由上电状态中静电在GS 两端（包括安装和和测定设备的带电）而导 致的栅极破坏