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湖北工业大学;1;1;1;1;湖北工业大学
一、设计要求以及小组工作分配
1. 数字控制的 DC-DC 变换器
如下图，设计一个 DC-DC 变换电路: ;1;湖北工业大学
小功率 MOS 管相同，但结构上有较大区别，小功率 MOS 管是横向导电 器件，功率 MOSFET 大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了 MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。
图 6 MOSFET 的结构与电气图形符号
1.3 功率 MOSFET 的工作原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P 基区与 N 漂移
区之间形成的 PN 结 J1 反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压 UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅 极电流流过。但栅极的正电压会将其下面 P 区中的空穴推开，而将 P
区中的少子-电子吸引到栅极下面的 P 区表面。
当 UGS 大于 UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下 P 区表面的电 子浓度将超过空穴浓度，使 P 型半导体反型成 N 型而成为反型层，该 反型层形成 N 沟道而使 PN 结 J1 消失，漏极和源极导电。
;湖北工业大学;;湖北工业大学;湖北工业大学;湖北工业大学;湖北工业大学;湖北工业大学;116;湖北工业大学;118;湖北工业大学
四、总电路设计以及仿真结果图示
1、总电路图 ;湖北工业大学
计简明清晰；在 PROTEUS 绘制好原理图后，调入已编译好的目标代码 文件，就可以在 PROTEUS 的原理图中看到模拟的实物运行状态和过 程。
仿真结果如下
;221;222;223;224;225;226
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