整理PN结及其特性详细介绍.pptx

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2021-01-23 发布于未知
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整理PN结及其特性详细介绍.pptx

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PN 结及其特性详细介绍 1. PN 结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N 型半导体和P 型半导体。此时将在N 型半导体和P 型半导体的结合面上形成如下物理过程:;PN 结的形成过程中的两种运动：多数载流子扩散少数载流子飘移;外加的反向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与 PN 结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时 PN 结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN 结呈现高阻性。;根据理论分析，PN 结两端的电压V 与流过 PN 结的电流I 之间的关系为：;5 . PN 结的电容效应 PN 结除了具有单向导电性外，还有一定的电容效应。按产生电容的原因可分为： (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使 PN 结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当 PN 结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图如下图。