薄膜材料与器件课程论文.doc

题 目 班 级 学 号 学生姓名 摘要：近年来，随着铁电薄膜制备技术的发展，其应用领域不断扩大。文章介绍 了铁电薄膜新研究进展，对H前最常用的几种主要制备方法进行了评述，重点分 析了铁电薄膜不同制备方法的优缺点。并指出存在的问题及其发展方向。 关键词：铁电薄膜；制备技术；研究进展 Abstract: In recent years, with the development of preparation techniques of ferroelectric thin films, they have many applications in some fields. The research progress on ferroelectric thin film was introduced in the paper. Some main preparation technologies were summarized in detail at present. The advantages and disadvantage of different processing technology for ferroelectric thin films were discussed especially. In addition, this paper pointed out some existing problems and future developmental directions. Keywords: ferroelectric thin film; preparation technology; research progress 近年来对铁电薄膜的性能、应用和制备的研究，已成为国际上新颖功能材料 与器件的一个新热点〔Z］。这不仅是因为薄膜材料儿何设计的可塑性，更重要的 是铁电薄膜具有优越的电极化特性、热释电效应、压电效应、电光效应、高解电 系数和非线性光学性质等一系列特殊性质⑵，可以利用这些性质制作不同的功 能器件，并可望通过铁电薄膜材料与其它材料的集成或复合，制作集成性器件。 随着铁电薄膜制备技术的发展，使现代微电子技术与铁电薄膜的多种功能相结 合，必将开发出众多新型功能器件，促进新兴技术的发展，因此对铁电薄膜的研 究已成为国内、国际上新材料研究11?的一个十分活跃的领域。 具有铁电性，且厚度在数十纳米至数微米的薄膜材料称为铁电薄膜材料。它 具有热释电效应、压电效应、电光效应、高解屯系数和非线性光学性质等。铁电 材料的发展经历了三个重要阶段：20-30年代，以水溶性铁电单晶为代表； 40—70年代，以铁电陶瓷为代表；70年代以后，以铁电薄膜为代表。早期铁电 材料的用途主要是利用它的介电性、半导性等制作陶瓷电容器和各种传感器。激 光和晶体管技术的口趋成熟，又促进了铁电薄膜的发展。8()年代，随着薄膜制 备技术的发展，可利用铁电材料的晶界或晶粒表面层制作一些特殊功能器件，使 其广泛应用于电子技术、超声技术、红外技术等领域⑶o 90年代，随着微电子 技术、光电子技术和传感器技术等的发展，对铁电材料提出了小型轻量、可集成 等更高的要求，从而使人批新型铁电薄膜器件或器件原型不断涌现。在铁电薄膜 的许多应用屮，铁电存储器尤其引人注铁电薄膜存储器既有动态随机存储器 (DRAM)快速读写功能，又有可擦除只读存储器(EPROM)的非易失性，还具有抗 辐射、功耗和工作电圧低、工作温度范围宽、易与大规模集成电路兼容等特点， 因而在铁电随机存储器(FRAM).超人规模集成(FEMFET)、全光存储器等领域有 广阔的应用前景。铁电薄膜和集成铁电器件在世界范围内引起了科技工作者的深 切关注，成为为今功能材料和器件研究方面的一大热点。H前主要集屮在铁电薄 膜材料的制备、表而特性的测量以及应用研究与开发。 1?铁电薄膜的制备技术 H前，应用较为广泛的铁电薄膜制备技术主要有：溅射镀膜法、金属有机化 合物气相沉积(MOCVD)、溶胶一凝^(Sol-Gel)法、金属有机化合物热分解(MOD) 法、脉冲激光沉积(PLD)法、激光分子束外延(L-MBE)法、液态源雾化化学沉积 法以及自组装与分子自组装技术等。表1列出了铁电薄膜常用制备方法及其特 表1铁电薄膜常用的制备方法及其特点 方法 MOCVD Sol-Gel 溅射镀膜法 PLD 膜材料 溶液 溶液 陶瓷 晶体 成膜温度 低 低 低 低 制备时间 短 长 短 短 沉积温度。C 500?700 室温 室温~7()0 室温?700 退火温度。C 500?800 500-700 500-700 500?700 膜厚 薄 薄 薄 薄 组分分布 均匀 均匀 均匀 均匀 组分 保持 偏离 保持 保持 晶化方式