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IGBT 模块驱动及保护技术 引言 IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件。它既有 MOSFET 易驱动的特点，又具有功 率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间，可正常 工作于几十 kHz 频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT 是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几 V 的直流电压，只有 μA 级的漏 电流流过，基本上不消耗功率。但 IGBT 的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容（几千至 上万 pF），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数 A 的充放电电流，才能满足开通和关 断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。 IGBT 作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。 在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用 软关断技术，因而掌握好 IGBT 的驱动和保护特性是十分必要的。 栅极特性 IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般 只能达到 20～30V，因此栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。在应用中有时虽然保证了 栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极－集电极间的电容 耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此。通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄 生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 由于 IGBT 的栅极－发射极和栅极－集电极间存在着分布电容 Cge 和 Cgc，以及发射极驱 动电路中存在有分布电感 Le，这些分布参数的影响，使得 IGBT 的实际驱动波形与理想驱 动波形不完全相同，并产生了不利于 IGBT 开通和关断的因素。这可以用带续流二极管的电 感负载电路（见图 1）得到验证。;Cge，栅极电压上升较快。在 t1 时刻达到 IGBT 的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此 时开始有 2 个原因导致 uge 波形偏离原有的轨迹。 首先，发射极电路中的分布电感 Le 上的感应电压随着集电极电流 ic 的增加而加大，从而削 弱了栅极驱动电压，并且降低了栅极－发射极间的 uge 的上升率，减缓了集电极电流的增??。 其次，另一个影响栅极驱动电路电压的因素是栅极－集电极电容 Cgc 的密勒效应。t2 时 刻，集电极电流达到最大值，进而栅极－集电极间电容 Cgc 开始放电，在驱动电路中增加 了 Cgc 的容性电流，使得在驱动电路内阻抗上的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。显然， 栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应一直维持到 t3 时刻，uce 降到零为止。它 的影响同样减缓了 IGBT 的开通过程。在 t3 时刻后，ic 达到稳态值，影响栅极电压 uge 的因 素消失后，uge 以较快的上升率达到最大值。 由图 1 波形可看出，由于 Le 和 Cgc 的存在，在 IGBT 的实际运行中 uge 的上升速率减缓 了许多，这种阻碍驱动电压上升的效应，表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了 减缓此效应，应使 IGBT 模块的 Le 和 Cgc 及栅极驱动电路的内阻尽量小，以获得较快的开 通速度。 IGBT 关断时的波形如图 2 所示。t0 时刻栅极驱动电压开始下降，在 t1 时刻达到刚能维持 集电极正常工作电流的水平，IGBT 进入线性工作区，uce 开始上升，此时，栅极－集电极 间电容 Cgc 的密勒效应支配着 uce 的上升，因 Cgc 耦合充电作用，uge 在 t1－t2 期间基本不 变，在 t2 时刻 uge 和 ic 开始以栅极－发射极间固有阻抗所决定的速度下降，在 t3 时，uge 及 ic 均降为零，关断结束。 由图 2 可看出，由于电容 Cgc 的存在，使得 IGBT 的关断过程也延长了许多。为了减小此 影响，一方面应选择 Cgc 较小的 IGBT 器件；另一方面应减小驱动电路的内阻抗，使流入 Cgc 的充电电流增加，加快了uce 的上升速度。;栅极驱动电压的上升、下降速率对 IGBT 开通关断过程有着较大的影响。IGBT 的 MOS 沟道受栅极电压的直接控制，而 MOSFET 部分的漏极电流控制着双极部分的栅极电流，使 得 IGBT 的开通特性主要决定于它的 MOSFET 部分，所以 IGBT 的开通受栅极驱动波形的 影响较大。IGBT 的关断特性主要取决于内部少子的复合速率，少子的复合受 MOSFET 的关 断影响，所以栅极驱动对 IGBT 的关断也有影响。 在高频应用时，驱动电压的上升、下降速率应快一些，以提高 IGBT 开关速率降低损耗。 在正常状态下 IGBT 开通越快，损耗越小。但在开通过程中如有续流二极管的反向恢复电 流和