5薄膜的生长过程和薄膜结构.ppt

迁移来的吸附原子通量 ω 应等于吸附原子 密度 n a 和原子扩散的发生几率 的乘积； 则 因此，得到 ★ 临界形核自由能变 ΔG * 的降低将显著提高形核率； 高的脱附能 E d 、低的扩散激活能 E s 有利于气相原 子在衬底表面的停留和运动，会提高形核率。 薄膜生长过程和结构 31 5.3.3 衬底温度和沉积速率对形核过程的影响 通过自发形核的情况下，薄膜沉积速率 R 与衬 底温度 T 对临界核心半径 r* 和临界形核自由能变 化 ΔG* 的影响来说明它们对整个形核过程及薄膜 组织的影响。 薄膜生长过程和结构 32 薄膜沉积速率 R 对薄膜组织的影响： 固相从气相凝结出来时的相变驱动力可写为 R e — 凝结的核心在温度 T 时的平衡蒸发速率； R — 实际的沉积速率。 Re=R 即气相与固相处于平衡状态时， ΔG R ，即薄膜沉积时， ΔG v = 0 ； R e v 0 。 薄膜生长过程和结构 33 在 ΔG v 0 的前提下，可以得出 随薄膜沉积速率 R 的提高，薄膜临界核心半径与 临界形核自由能均随之降低，即 高的沉积速率将会 导致高的形核速率和细密的薄膜组织 。 薄膜生长过程和结构 34 衬底温度对薄膜形核过程的影响： 气相过饱和度 S 越大，薄膜的临界核心半径 r* 和临界形核自由能变化 ΔG* 越小，因而随着衬底 温度的降低， r* 和 ΔG* 都会减小，即 随着温度上升和相变过冷度减小，薄膜临界核心 半径增大 ，新相的形成将变得较为困难。 薄膜生长过程和结构 35 STM images of TiSi 2 islands formed on Si(100). 薄膜生长过程和结构 36 总结： T 越高， r* 越大， ΔG* 也越高，沉积的薄膜 首先形成粗大的岛状组织； T 降低， ΔG* 下降， 形成的核心数目增加，形成晶粒细小而连续的薄 膜组织。 R 增加将导致 r* 减小， ΔG* 降低，相当于降低 沉积温度，使薄膜组织的晶粒细化。 因此， 提高沉积的温度并降低沉积的速率 可 以得到 粗大甚至是单晶结构 的薄膜； 低温、高速 的沉积往往导致 多晶态甚至是非晶态 的薄膜组织。 薄膜生长过程和结构 37 5.4 连续薄膜的形成 形核初期形成的孤立核心将随着时间的推移而 逐渐长大，这一过程除了涉及吸纳单个的气相原 子和表面吸附原子之外，还涉及了核心之间的相 互吞并和联合的过程。 核心相互吞并的机制： ? 奥斯瓦尔多 (Ostwsld) 吞并过程 ? 熔结过程 ? 原子团的迁移 薄膜生长过程和结构 38 5.4.1 奥斯瓦尔多 (Ostwsld) 吞并过程 设想在形核过程中已经形成了各种不同大小 的许多核心。随着时间的推移，较大的核心将 依靠吞并较小的核心而长大。这一过程的驱动 力来自于岛状结构的薄膜力图 降低自身表面自 由能的趋势 。 薄膜生长过程和结构 39 薄膜生长过程和结构 40 球的表面自由能 G s =4πr i 2 γ (i=1,2) ， 每个球含有的原子数 n i =4 π r i 3 /3Ω ， 那么：每增加一个原子带来的表面自由能增加 每个原子的自由能 则得到吉布斯 - 辛普森 (Gibbs-Thomson) 关系 a ∞ 相当于无穷大原子团中原子的活度值。 薄膜生长过程和结构 41 公式表明，较小的核心中的原子将具有较高 的活度，其平衡蒸气压也将较高。 因此，当两个尺寸大小不同的核心互为近邻 的时候，尺寸较小的核心中的原子有 自发蒸发 的倾向，而较大的核心则会因其平衡蒸气压较 低而 吸纳 蒸发来的原子。结果是较大的核心吸 收原子而长大，而较小的核心则失去原子而消 失。吞并的结果使薄膜大多由尺寸较为相近的 岛状核心所组成。 薄膜生长过程和结构 42 5.4.2 熔结过程 熔结是 两个相互接触的核心 相互吞并的过程。 过程的驱动力：表面能的降低趋势。 在此过程中，原子的扩散可能有两种机制，即 体扩散机制和表面扩散机制。表面扩散机制对 熔结过程的贡献可能会更大一些。 薄膜生长过程和结构 43 5 薄膜的生长过程和薄膜结构 5.1 薄膜生长过程概述 薄膜的生长