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2. 部分CMOS（4000系列）一个也可直接驱动一个TTL（74LS系列） 3. 部分CMOS一个（74HC/74HCT系列）也可直接驱动多个TTL （b）用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。 附:TTL和CMOS电路带负载时的接口问题 1．对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动。 （a）用TTL门电路驱动发光二极管LED，这时只要在电路中串接一个约几百W的限流电阻即可。 2．带大电流负载 （a）可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器，如图（a）所示。 （b）也可在门电路输出端接三极管，以提高负载能力，如图（b）所示。 （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。 附:多余输入端的处理 （1）对于与非门及与门，多余输入端应接高电平，比如直接接电源正端，或通过一个上拉电阻（1～3kW）接电源正端；在前级驱动能力允许时，也可以与有用的输入端并联使用。 第二章 作业 2.1 2.2 2.3 2.6 2.7 2.14 2.17(b) 2.18 2.21 2.23 (2). 可利用三态门实现数据的双向传递： EN=1，G1工作，G2高阻，Do经G1反相送至总线。 EN=0，G1高阻，G2工作，总线数据经G2反相从D1端送出。 4. TTL门电路多余输入端的处理 TTL与非门在使用时如果有多余的输入端不用，一般不应悬空，以防止外界干扰信号的侵入。有以下几种处理方法： ①将其经1~3K?的电阻接至电源正端； ②接高电平VH;　 ③与其他信号输入端并接使用。 或门及或非门的多余输入端应接低电平。 与或非门的多余与门其输入端必须接低电平。 5、TTL集成逻辑门电路系列简介（P83-87） 1)．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。 2)．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。 3)．74H系列——为高速TTL系列。 4)．74S系列——为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。 抗饱和三极管 抗饱和三极管 TTL系列电路的性能比较 功耗p 延迟时间tpd 延迟-功耗积 P87 表 2.4.1 5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为先进肖特基系列，它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为先进低功耗肖特基系列，是74LS系列的后继产品。 其他双极型数字集成电路特点： DTL 二极管-三极管逻辑 速度低 功耗低 ECL 发射极耦合逻辑 速度最高，功耗很大 I2L 集成注入逻辑 集成度高，速度低 ? 2.6 CMOS门电路 2.6.1 CMOS反相器 CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成，成对出现。 N沟道绝缘栅型场效应管 P沟道绝缘栅型场效应管 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 倒相器要求： T1是P沟道增强型MOS管，T2是N沟道增强型MOS管。且T1、T2的开启电压分别为VTN、VTP。 当Vi=ViL=0时，有　　　　　　　　，VGS2=0VTN故T1导通，导通内阻很低（小于１K?)，T2截止，内阻很高（108~109?)。输出为高电平VOH，且VOH ? VDD　　　 电路结构及工作原理： VTN VTP 0V 导通 截止 G1 G2 S1 S2 D2 D1 VDD 当Vi=VOH=VDD，则有　　　　　　　，VGS2=VDDVTN ，故T1截止而T2导通，输出为低电平VOL，且VOL ? 0 静态时T1和T2总是工作在一个导通而另一个截止，其截止内阻又极高，流过T1和T2的静态电流极小，所以CMOS反向器的静态功耗极小。 导通 截止 G1 G2 S1 S2 D2 D1 VDD 0V 1．电压传输特性：（设: VDD=10V， VTN=|VTP|=2V） （1）当Vi＜2V，T2截止，T1 (TP)导通，输出Vo≈VDD=10V。(AB段) （2）当2V＜Vi＜5V，T2 (TN)工作在饱和区，T1工作在可变电阻区。(BC段) A B C D E F （3）当Vi=5V，两管都工作 在饱和区，Vo=（VDD/2）=5V。 (CD段) （4）当5V＜Vi＜8V， T1工作在饱和区， T2工作在可变电阻区。(DE段) （5）当Vi＞8V，T1截止， T2导通，输出Vo=0V。(EF段) 2.6.2 CMOS反相器的静态特性和动态特性 CMOS门电路的阈值电压Vth=VDD/2 iD VI VTN ?VTP? VDD 1/2VDD A B C D E F 2.电