霍尔传感器光电传感器.pptVIP

霍尔式传感器;霍尔效应 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 ;霍尔效应演示;霍耳效应与霍耳元件 （a）霍耳效应（b）霍耳元件结构（c）图形符号（d）外形;磁感应强度B 较大时的情况;霍尔转速表;霍尔转速表原理 ;霍尔转速传感器在汽车防抱死装置（ABS）中的应用 ;霍尔式接近开关用于转速测量演示;自动供水装置 图示锅炉中的水由电磁阀控制流出与关闭。 磁传感装置由磁铁及SL3020霍尔开关集成传感器构成。当取水者投入铁制的取水牌时，铁制取水牌将磁铁的磁力线短路，SL3020传感器受较强磁场的作用输出为高电平脉冲，电路输出使电磁阀通电开阀放水。 1—锅炉 2—电磁阀 3—投卡口 4—水龙头 5—水瓶 6—收卡箱 7—磁铁 8—磁传感器 ;光电式传感器; 光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器，可用于检测直接引起光量变化的非电量，通常由四部分组成。图中x1表示被测量能直接引起光量变化的检测方式；x2表示被测量在光传播过程中调制光量的检测方式。;工作原理 把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电转换元件变换成电信号。 被测量通过对辐射源或者光学通路的影响将待测信息调制到光波上，通过改变光波强度、相位、空间分布和频谱分布等，由光电器件将光信号转化为电信号，电信号经后续电路解调分离出被测量信息，实现测量。 特点 频谱宽；不受电磁干扰的影响；非接触测量；高精度、高分辨力、高可靠性；反应快等 应用 检测、控制领域 ;一、光电效应;光电效应;外光电效应-- External photoelectric effect 外光电效应是指在光的照射下，物体内的光电子逸出金属表面的现象。1887年由德国人赫兹发现。 ; 根据爱因斯坦假设: 一个电子只能接受一个光子的能量。要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子能量ε大于该物体的表面逸出功A。各种不同的材料具有不同的逸出功A，因此对某特定材料而言，将有一个频率限νo(或波长限λo)，称为“红限”。 红限波长可用下式求得： 当入射??的频率低于νo时(或波长大于λo)，不论入射光有多强，也不能激发电子； 当入射频率高于νo时，不管它多么微弱也会使被照射的物体激发电子，光越强则激发出的电子数目越多。 ????????? ?? ??????????????????????????????????   ; 基于外光电效应原理工作的光电器件有 ;? ;? ; 在玻璃管内除装有光电阴极和光电阳极外，尚装有若干个光电倍增极。光电倍增极上涂有在电子轰击下能发射更多电子的材料。　　 光电倍增极的形状及位置设置得正好能使前一级倍增极发射的电子继续轰击后一级倍增极。在每个倍增极间均依次增大加速电压。设每级的培增率为δ，若有n级，则光电倍增管的光电流倍增率将为δn。 ;内光电效应-- (Internal photoelectric effect) 受光照物体电导率发生变化或产生光电动势的效应叫内光电效应。 光子能量必须大于材料的禁带宽度ΔEg才能产生内光电效应。 内光电效应的临界波长λo=1293/ΔEg (nm)。通常纯净半导体的禁带宽度为1eV左右。;分类;photo-conductive effect;光敏电阻中光电导作用的强弱是用其电导的相对变化来标志的。 ;;光敏电阻的基本应用电路 ;光电式带材跑偏检测;光敏二极管 ;; 没有光照时，二极管反向偏置，反向电阻很大，反向电流很小，该电流称为暗电流，相当于普通二极管的反向饱和漏电流；受光照射时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子-空穴对，从而使P区和N区的少数载流子浓度大大增加，在外加反向偏压和内电场的作用下，P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区， N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，这就形成了光电流。光敏二极管的光电流 I 与照度之间呈线性关系。光敏二极管的光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。;光敏二极管的反向偏置接线及光电特性演示 ;例：光电转速传感器;; 光敏三极管有两个PN结。与普通三极管相似，有电流增益，灵敏度比光敏二极管高。多数光敏三极管的基极没有引出线，只有正负两个引脚，外型与光敏二极管相似，外观上很难区别。 ;光敏三极管内部结构 ; 光敏三极管结构、等效电路、符号及应用电路分别如图(a) 、(b) 、(c) 、(d)所示。 光敏三极管与一只普通三极管制作在同一个管壳内，连接成复合管，如图(e)所示，称为达林顿型光敏三极管，其灵敏度更大（β=β1β2）。但是，