高频基板材料之发展.docVIP

高频基板材料之最新发展 发布日期：2007-11-24 阅读：2464次 字体:左 出± 双击鼠标滚屏 I 厶.-X— 1、 刖曰 随着信息科学技术的飞速发展，具有高速信息处理功能之各种电子消费产品 己成为人民H常牛活屮不可缺少的一部分，从而加快了无线通讯和宽频应用工业 技术由传统的军用领域向民用的消费电子领域转移之速度，由于消费电子市场需 求强劲，且不断提岀更高的技术要求，如信息传递高速化、完整性及产品多功能 化和微型化等，从而促进了高频应用技术之不断发展。特别是覆铜箔基板材料技 术，传统FR-4ZDK和Df相对较高，即使通过改善线路设计也无法完全满足高 频下的信号高速传递且信号完整之应用需求，因为高DK会使信号传递速率变慢, 高Df会使信号部分转化为热能损耗在基板材料屮，因而降低DK/Df己成为基板 业者之追逐热点，各种降低DK/Df之新技术和新型基板产品也不断地涌现出来， 同时不断地被PCB业者和终端厂商所接收和否定（某些应用领域的否定）。以下 就本人对业界高频基板材料技术之发展的理解作一简单的介绍，同时就我司的新 型高频基板材料作简要Z介绍与讨论。 2、 介电常数（DK）和损耗因子（Df） 1定义 介电常数（￡ , e r, DK,以下均用DK表示）的定义方式繁多，但常见定义 为：含有电介质的电容器的电容C与相应真空电子容器的电容Z比为该电介质的 介电常数。（电介质的电容电荷示意图如下图1） C°_Qo 4 4?d—U -Ji—+ 4 4 ?d— U -Ji— + Co — Qo (b) (a)板间是真空(b)板间有电介质图丨平行板电容器上的电荷 从介电常数的定义可知，如果电介质的极化程度越高，则其电荷Q值越高, 即DK越高，说明DK是衡量电介质极化程度的宏观物理量，表征屯介质贮存屯能 能力的大小，从而也表征了阻碍信号传输能力的大小。 损耗因子(tan 5 , Df,也叫介质损耗因素，介质损耗角正切，以下均用Df 表示)一般可定义为：绝缘材料或电介质在交变电场屮，由于介质电导和介质极 化的滞后效应，使屯介质内流过的屯流相量和屯压相量之间产牛一定的相位差, 即形成一定的相角，此相角的正切值即损耗因子Df,由介质电导和介质极化的 滞后效应引起的能量损耗叫做介质损耗，也就是说，Df越高，介质电导和介质 极化滞后效应越明显，电能损耗或信号损失越多，是电介质损耗电能能力的表征 物理量，也是绝缘材料损失信号能力的表征物理量。 2. 2基板材料DK和Df之影响因素 在高频应用屮，PCB使用Z基板材料的介电性能对信号的传输速度和完整性 产牛直接的影响，在讨论如何降低DK/Df以更好地符合高频应用前，先对基板材 料DK/Df之影响因素进行讨论：基板材料DK/Df之影响因素较多，主要有如下几 方面：树脂、玻璃布类型、树脂含量、环境温度和湿度及应用频率等，下面就以 上影响因子进行详细分析。 2. 2. 1树脂结构特性 因基板之绝缘部分是由树脂和玻璃布组成，玻璃布的DK较高(E-glass6. 6, NE-Glass4. 6),因而实现较低的DK,必须选择较低DK之树脂。树脂的DK/Df 主要与树脂的纯度、吸水率及树脂分子结构此三方而有关，当然此三方面也相互 影响。一般来讲，树脂屮游离的离子会使树脂的吸水率提高，由于水的DK达到 70,吸水率的提高会使树脂的DK升高，同吋会在高频下易形成离子极化而增加 极化程度，也使DK升高，同时Df也会相应提高。至于吸水率，与树脂本身分子 结构相关，一-般来说，分子结构之极性越低，其吸水率越低；另其固化后的交联 密度越大，其吸水率也会越低，，其DK/Df受环境湿度的增加血增加。分子结构 极性是决定树脂DK/Df之关键，如果分子结构极性越高，在一定电磁波下，树脂 内电子极化、原子极化、偶极极化（又称取向极化）Z程度将越高，其DK/Df 越高，此点亦可从DK/Df之定义得知，所以设计或选择高度对称结构，少量极性 基团、低极性的化学键和具有大分子体积的高分子树脂是降低DK/Df Z主要途 径，例如具有脂肪族坯、氟代坯、环脂环族等此类结构的树脂和能具有参加反应 Z乙烯基、醛基、酯基及酰亚胺基等结构的树脂（固化后）其DK/Df相对较低， 千万不能含有0H和C00H等极性基团，传统FR-4因固化后分子结构屮含有大量 0H基而具有相对较高的DK/Df o常用作Low DK/Df之树脂结构如下： OAr N 、 Triazinc（MNtflR） CH, ch, ppo（W 苯 ft!） F F F F n PTFE（*四1R乙烯） 2. 2. 2玻璃布和树脂含量 玻璃布的DK/Df不可忽视，因为玻璃布在基板屮扮演了 DK “拖后退”之角 色，E-glass在口恤之。!＜为6.6,而传统FR-4 epoxy在1MHZ