宽禁带半导体材料与器件表7.光学与电子信息学院系、所.docVIP

表 7． 光学与电子信息 学院（系、所） 研究生课程简介 课程名称：宽禁带半导体材料与器件 英文名称： Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 课程类型： 讲授课程  □ 实践（实验、实习）课程  □ 研讨课程  □ 专题讲座  □其它 考核方式：  笔试  教学方式：课堂  PPT授课 适用专业： 理工文医各专业  适用层次： 硕士  □  博士 开课学期：  第二学期  总学时 / 讲授学时： 32 /  学分： 2 先修课程要求：固体物理 或 半导体物理 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术专长 陈长清 教授 半导体 41 半导体 黄黎蓉 副教授 半导体 43 半导体 吴志浩 副教授 半导体 32 半导体 戴江南 讲师 半导体 32 半导体 课程教学目标： 通过这门课程教学， 使学生掌握宽禁带半导体材料与器件方面的基本理论与 方法，使学生掌握宽禁带半导体器件的基本概念、工作原理及研究前沿等， 具体 来说，一是使学生了解宽禁带半导体材料与器件方面的研究前沿与动态； 二是培 养学生具有扎实的宽禁带半导体材料与器件方面理论功底， 为其学习和进一步深 入研究奠定基础；三是为学生从事宽禁带半导体材料与器件等方面的科学研究、 教学或担负专业技术工作打下基础。 教学大纲（章节目录）： 本课程共分为七章进行授课： 第一章 宽禁带半导体导论 第二章 宽禁带半导体材料生长 2.1 GaN 材料生长 2.1 SiC 材料生长 2.3 ZnO 材料生长 第三章 GaN 基半导体发光管 LED和激光管 LD 3.1 GaN 基蓝、绿半导体发光管 LED 3.2 半导体白光照明 3.3 大功率半导体发光管 3.4 GaN 基半导体激光管 LD 第四章 GaN 基深紫外 LED和探测器 4.1 GaN 基深紫外发光管 LED 4.2 GaN 基半导体探测器 第五章 GaN 基半导体电子器件 5.1 AlGaN/GaN 异质结 5.2 GaN 基 HEMT器件的特性 5.3 GaN 基 HEMT器件的电流崩塌效应 5.4 硅衬底上 GaN基 HEMT器件 5.5 GaN 基 MISHFET和 HBT器件第六章 SiC 基半导体器件 6.1 SiC 基光电子器件 6.2 SiC 基整流管 6.3 SiC 基金属 - 氧化物 - 半导体场效应管 6.4 SiC 基结型场效应管 (JFET) 和肖特基栅场效应管 (MESFET) 6.5 SiC 基双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 第七章 ZnO 基半导体器件 7.1 ZnO 基光电子器件 7.2 ZnO 基电子器件 教材： 宽禁带半导体材料与器件 （自编） 主要参考书： 1） 半导体发光二极管及固态照明，史光国等，科学出版社 2） 微电子器件与 IC 设计，刘刚等，科学出版社 3） 碳化硅宽带隙半导体技术，郝跃等，科学出版社 4） 化合物半导体材料与器件，谢孟贤等，电子科技大学出版社 注：每门课程都须填写此表。本表不够可加页