场效应晶体管FET 微电子概论教学PPT课件.ppt

* 夹断后载流子的输运机理 4、场效应晶体管 Field Effect Transistor FET 4.1 概述 场效应管（FET）与三极管不同，它是利用多子导电，属于单极型晶体管. 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOSFET 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型(D管) 增强型(E管) 耗尽型(D管) 增强型(E管) BJT FET 电流控制器件 电压控制器件 双极器件 单极器件 依靠少子工作,噪声大 依靠多子工作,噪声低 输入阻抗低 输入阻抗高,利于直接耦合,输入功耗小 温度稳定性差 温度稳定性好,具有零或负的温度系数 工艺较复杂,集成度低 制造工艺较BJT简单,EMOS有天然的隔离,集成度高 BJT与FET比较 4.2 结型场效应晶体管（JFET） 栅结是晶体管的控制端，作用是调节其下面的沟道，也就是器件的输入端 MESFET的工作原理与JFET一致，将以JFET为例进行分析 S: source，源极；G: gate，栅极；D: drain，漏极 栅极之间为沟道（channel），厚度d，长度L，宽度W 沟道两端接S和D d d W 4.2.1 JFET基本结构 要点：符号中的竖线表示沟道，箭头由P指向N，增强型沟道平衡时不连续 4.2.2 JFET工作原理（以N沟道耗尽型为例） 耗尽型在VGS=0时已存在天然沟道，增强型沟道一般为本征半导体，需使VGS＞0注入后形成沟道 ＜ ＜ ＜ ＜ ＜ ＜ o o o A A A B B C 为何栅选用P+？因为（1）若选用P，沟道与栅的耗尽层等宽，不利于栅的电压控制，选用P+，沟道耗尽层宽，栅的耗尽层窄，利于栅控制电压 夹断 4.2.3 器件的特性及参数 输出特性曲线 VP BVDS0：VGS=0时的击穿电压 输出特性之输出电阻 栅源电压为常数时的沟道电阻rd UDS ID 夹断之后，电流达到饱和，但漏极电流不会成为平行于电压轴的直线，否则有rd→∞，其原因是夹断后多子注入和反向抽取提供导电 随着漏源电压增大，沟道电阻增大，夹断之后为定值 沟道电阻反映漏源电压控制输出电流大小的能力，沟道电阻越大，输出电流越小 UDS ID ＜ ＜ 转移特性曲线 源漏电压一定时，漏极电流与栅源电压之间的关系曲线，称为转移特性曲线。它是将各栅源电压下输出特性曲线上对应的漏极电流转移到新坐标系而获得的 当栅源电压等于零时，沟道中有电子在源漏电压作用下输运，漏电流不为零；当栅源电压增大，减薄耗尽层增宽沟道，漏极电流随之增大。 当栅源电压转向为负，使沟道缩窄，导致提前夹断，反向增强可直至电流为零。反向电流为零，即意味着沟道电阻无穷，沟道完全消失，趋近于输出电流曲线平行于漏源电压轴的状况，该点对应的栅源电压即为夹断电压。 转移特性之跨导gm 源漏电压一定时，漏电流随栅源电压的变化率 表示源漏电压一定时，栅源电压对漏电流的控制能力 跨导越大，栅源电压对漏电流的控制能力越强 起初gm随UGS增大而增大，即ID随UGS非线性增大，对应输出特性上的非饱和区即可变电阻区，随后gm为定值，即ID随UGS线性增大，对应饱和区。 VP 可变电阻区 4.2.4 开启电压、夹断电压和漏源饱和电压 内建夹断电压： 夹断电压： D d 根据PN结势垒电容公式、泊松方程可得： 使沟道完全消失的栅源电压为夹断电压 Xn Xm 天然夹断，势垒VP0=VT VD：D点电容电势 VP： P点电容电势 JFET特点总结 栅源电压VGS控制沟道电阻，从而控制漏极电流ID，因而是电压控制型器件 VGS以负值作用在栅源PN结上，PN结反偏，可形成小电流输入控制大流输出，因而输入阻抗高，栅极电流IG≈0，输入功率小而输出功率大，可谓放大效率更佳 沟道中的载流子是多子，N沟道中为电子，P沟道中为空穴，只涉及一种载流子，因而是单极型器件 概念：栅，沟道，跨导，夹断 机制：沟道形成，沟道夹断 特性：输出特性，转移特性 4.3 绝缘栅场效应管（IGFET） 绝缘栅场效应管的栅极与其他电极绝缘。它利用栅源间电压所产生的电场效应控制半导体内载流子的运动。 根据绝缘材料的不同分为： 金属—氧化物—半导体场效应管（简称MOSFET或MOS管） 金属—氮化硅—半导体场效应管（简称MNSFET或MNS管） 金属—氧化铝—半导体场效应管 （简称MALSFET） 4.3.1 N沟道增强型MOSFET结构 增强型NMOS管的结构示意图(立体图) 简称增强型NMOS管 此处“N沟道”含义与JFET有何不同？ 增强型NMOS的剖面图 源极S 漏极D 栅极G SiO2 绝缘层 SiO2 SiO2 N+型半导体 耗尽区 利用掺杂浓度较低的P型硅片作基片（衬底），并引出电极衬底B 在两个高掺杂浓度的N型半导体上引出两个电极：源极S、漏极D。 在S