IGBT吸收保护电容器.docVIP

IGBT 吸 收 保 护 电 容 (MKPH-SB) 引言 众所周知，在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路。因为全 控制器件在电路工作时莫名其妙损坏的原因虽然很多， 但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因所在。 缓冲原理 电路中器件的损坏， 一般都是在器件在开关过程中遭受了过大的 di/dt,dv/dt 或瞬时功耗的冲击而造 成的。缓冲电路的作用就是改变器件的开关轨迹，控制各种瞬态时的过电压，以降低器件开关损耗来 确保器件的安全。 图所示为 GTR 在驱动感性负载时的开关波形。不难看出，在开通和送断过程中的某一时刻， GTR 集 电极电压 Uc 和集电极电流 ic 将同时达到最大值， 此时瞬时功耗也最大。 加入缓冲电路可将这一开关功耗转移到相关的电阻上消耗掉，从而达到保证器件安全运行的目的。 通用的 IGBT 缓冲电路有如下图所示的三种形式。 其中，图（ a）为单只低电感吸收电容构成的缓冲电路，适用于小功率 IGBT 模块，用来对瞬变电压有效时的低成本控制， 使用时一般将其接在 C1 和之间（两单元模块）或 P 和 N 之间（六单元模块）。图 4(b) 为 RCD 构成的缓冲电路，适用于较 E2 小功率的  IGBT  模块，缓冲二极管  D 可箝住瞬变电压，以抑制由于母线寄存电感引起的寄存振荡。 其 RC 时间常数应设计为开关