（国内标准）工作原理及应用.pdfVIP

（国内标准）工作原理及应 用 igbt 工作原理及应用 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护 引言 绝缘栅双极型晶体管 IGBT 是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的壹 种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP 晶体管,因此,能够把其见作 是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这俩种器件的优点,既具有MOSFET 器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而, 于现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 于中大功率的开关电源装置中,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作 频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO 。可是于开关电 源装置中,由于它工作于高频和高电压、大电流的条件下,使得它容易 损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影 响使得它所承受的应力更大,故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠 性。因而,于选择 IGBT 时除了要作降额考虑外,对 IGBT 的保护设计也 是电源设计时需要重点考虑的壹个环节。 1IGBT 的工作原理 IGBT 的等效电路如图1所示。由图1可知,若于 IGBT 的栅极和发射极之 间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样 PNP 晶体管的集电极和基极 之间成低阻状态而使得晶体管导通;若 IGBT 的栅极和发射极之间电压 为0V,则MOSFET 截止,切断 PNP 晶体管基极电流的供给,使得晶体管截 止 由此可知,IGBT 的安全可靠和否主要由以下因素决定： ——IGBT 栅极和发射极之间的电压; ——IGBT 集电极和发射极之间的电压; ——流过 IGBT 集电极－发射极的电流; ——IGBT 的结温。 如果 IGBT 栅极和发射极之间的电压,即驱动电压过低,则 IGBT 不能稳 定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则 IGBT 可能永 久性损坏;同样,如果加于 IGBT 集电极和发射极允许的电压超过集电 极－发射极之间的耐压,流过 IGBT 集电极－发射极的电流超过集电极 －发射极允许的最大电流,IGBT 的结温超过其结温的允许值,IGBT 均 可能会永久性损坏。 2保护措施 于进行电路设计时,应针对影响 IGBT 可靠性的因素,有的放矢地采取 相应的保护措施。 2 ．1IGBT 栅极的保护 IGBT 的栅极－发射极驱动电压VGE 的保证值为±20V,如果于它的栅极 和发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏 IGBT,因此,于 IGBT 的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若 IGBT 的栅极和发 射极间开路,而于其集电极和发射极之间加上电压,则随着集电极电 位的变化,由于栅极和集电极和发射极之间寄生电容的存于,使得栅 极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间 处于高压状态时,可能会使 IGBT 发热甚至损坏。如果设备于运输或振 动过程中使得栅极回路断开,于不被察觉的情况下给主电路加上电压, 则 IGBT 就可能会损坏。为防止此类情况发生,应于 IGBT 的栅极和发 射极间且接壹只几十 kΩ的电阻,此电阻应尽量靠近栅极和发射极。 如图2所示。 由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 双极晶体管的复合体,特别是其栅极 为MOS 结构,因此除了上述应有的保护之外,就像其他 MOS 结构器件壹 样,IGBT 对于静电压也是十分敏感的,故而对 IGBT 进行装配焊接作业 时也必须注意以下事项： ——于需要用手接触 IGBT 前,应先将人体上的静电放电后再进行操作, 且尽量不要接触模块的驱动端子部分,必须接触时要保证此时人体上 所带的静电已全部放掉; ——于焊接作业时,为了防止静电可能损坏 IGBT,焊机壹定要可靠地 接地。IGBT 于不间断电源的应用. 2 ．2集电极和发射极间的过压保护 过电压的产生主要有俩种情况,壹种是施加到 IGBT 集电极－发射极间 的直流电压过高,另壹种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。 2.2.1直流过电压 直流过压产生的原因是由于输入交流电源或 IGBT 的前壹级输入发生 异常所致。解决的办法是于选取 IGBT 时,进行降额设计;另外,可于检 测出这壹过压时分断 IGBT 的输入,保证 IGBT 的安全。 2.2.2浪涌电压的保护 因为电路中分布电感的存于,加之 IGBT 的开关速度较高,当IGBT 关断 时及和之且接的反向恢复二极管逆向恢复时,就会产生很大的浪涌电 压 Ldi/dt,威胁 IGBT 的安全。 通常 IGBT 的浪涌电压波形如图3所示。