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( 一 ) 、石英晶體的基本常識 (1) 、 石英晶體俗稱水晶,成分是 Sio2 ,是良好 的光學材料,而且也是最重要的壓電材料 在長溫下不同的溫度時,石英晶體的結構是不同 的,溫度低於 573 ℃ 是 a 石英晶體,溫度在 573 ~ 870 ℃ 時是 ? 石英晶體,溫度在 870 ~ 1470 ℃ 時是磷石英,溫度超過 1470 ℃ 時變成方石英 2) 、晶體可以是自然的,也可以是人工培養的 3) 、培育良好的單晶體,外型上最大的特徵是晶 面有規則的配置 4) 、石英晶體的晶面共 30 個,分成五組 六個 m 面 ( 柱面 ) ,六個 R 面 ( 大凌面 ) , 六個 r 面 ( 小凌面 ) ,六個 s 面 ( 三方雙堆面 ) , 六個 x 面 ( 三方偏方面 ) ( 二 ) 、石英晶體的一般性質 1) 、石英晶體的密度為 2.65g/cm 3 ,硬度為莫氏硬度 7 2) 、石英是一種良好的絕緣材料 3) 、膨脹係數很小 4) 、在溫度超作 573 ℃ 時,石英晶體內部產生 較強的機械應力,可能造成劣縫或雙晶 壓電效應: 電介質由於外界的機械作用, ( 如壓縮 ? 伸拉 ) 而在其內 部產生極化,產生表面電荷的現象,叫 壓電效應 如果將具有壓電效應的介質至於外電場中,由於電場 的作用,會引起介質內部正負電荷中心位移, 而這一位移產生效應為 逆壓電效應 然由於其結構的特殊性,不是任何方向都存在壓電效應 例如: 當石英受到沿 x 方向的利作用時, x 方向產生壓電效應, y 、 z 方向不產生 當石英受到沿 y 方向的利作用時, x 方向產生壓電效應, y 、 z 方向不產生 當石英受到沿 z 方向的利作用時,則不產生壓電效應 因此又稱 x 軸為電軸, y 軸為機械軸 三 ) 、培育石英晶體的關鍵設備 人工水晶是在特殊剛製的長桶型壓力鍋中,以高溫高壓環境的水 熱合成法,由種子水晶培養而成的,其品質依溶解液的種類濃度 充填量,培養溫度,生長域與溶解之溫度差等條件而異 設計壓力: 1000 ~ 1500atm 設計溫度:一般結晶溫度都採用 300 ℃ ~350 ℃之間,培養區的溫 度在 380 ℃左右 人工水晶的品質是決定石英晶體性能最基本的要素,對於人工水 晶 Q 值得要求: 1) 、民生用石英晶體 150 萬以上 2) 、通信用石英晶體 180 萬以上 3) 、高穩定用石英晶體 220 萬以上 四 ) 、石英晶體的機械振動 1) 、伸縮振動 2) 、厚度伸縮振動 長度伸縮振動:晶片的長度大於寬度和厚度,由於電極面與 X 軸垂 直,所以只有 X 方向的電廠 E1 的作用 3) 、彎曲振動 4) 、面切變振動 ( 五 ) 、石英晶片的製造 石英晶體製造的流程為: 石英晶體的原料選擇 定向線切 切割 研磨 ( 拋光 ) 流程簡介如下所示 晶棒選擇 ( 倒角 ) 晶棒貼付 (X-RAY 角度 ) 隔片厚度檢查 刀片組立 刀架組立 切斷 切斷完成 中間切斷 ( 半晶片 ) 粗磨 晶片貼附 晶片角度選別 半晶片入庫 半晶片排盤 半晶片貼附 粗磨頻率 (GC#2000) 頻率選別 精研頻率 (GC#4000) 頻率選別 半晶片倒角 (4 邊 ) 精磨 L 寸法研磨 W 寸法研磨 週邊研磨 外觀檢查 完成
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