磁阻效应及磁阻传感器的特性研究.docVIP

磁阻效应及磁阻传感器的特性研究 P 李梦达 实验目的 了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法。 测量锑化铟（InSb）传感器电阻的变化与磁感应强度的变化之间的关系，并作出相应图线。 利用作出的图线测量未知磁场。 实验原理 （原始实验原理见预习报告） 关于本次实验 本次实验测量相关传感器的横向磁阻效应，实验仪器如图1所示。其中IM 输出为励磁电流，IS输出为加在传感器两端的电流。最左边面板负责测量外加磁场强度与传感器两端的电压值。 图1 磁阻效应试验仪 实验中需要测量的项目有励磁电流大小（和外加磁感应强度相关）、磁感应强度、传感器两端的电压值。根据欧姆定律来计算磁阻效应时传感器的电阻值。 实验需要计算电阻的相对变化率的数值，并将此数值与磁感应强度B相对比，作出-B曲线，并进行拟合。 一般情况下外加磁场较弱时，电阻相对变化率正比于磁感应强度B的二次方；随磁场的加强，与磁感应强度B呈线性函数关系；当外加磁场超过特定值时，与磁感应强度B的响应会趋于饱和。 根据拟合出来的曲线，我们可以测量位置磁场的磁感应强度。 关于霍耳效应 磁阻效应的产生原理和霍耳效应十分相似，图2和图3分别为横向磁阻效应和霍耳效应的原理图。 图2 横向磁阻效应原理图 图3 霍耳效应原理图 本次实验仪器所使用的测量磁感应强度的仪器部分就是使用了砷化镓（GaAs）霍尔传感器，测量霍尔片两端的霍尔电