1+x培训与考核中心 新技术新工艺 中车时代半导体IGBT技术—为民族产业发展注入强“芯”剂.docxVIP

中车时代半导体IGBT技术—为民族产业发展注入强“芯”剂 从上世纪50年代研制出晶闸管开始，电能的变换和控制进入由功率半导体器件为主要载体的变流器时代。70年代功率半导体器件先后出现了门极可关断晶闸管（GTO）、巨型晶体管（GTR）和功率MOSFET等全控型器件，80年代在DMOS基础上研制出IGBT，IGBT结合了MOSFET与双极型晶体管的优点，具有电能变换方式灵活、功率容量大、工作频率高等特点。 IGBT技术发展很快，性能不断提升，目前主流IGBT芯片技术以高压平面栅及中低压沟槽栅为基本特征，结合了场截止缓冲层技术和透明阳极技术，实现了良好的通态与动态特性，并具备宽的安全工作区，使得IGBT足以替代大功率应用领域的其他类型的器件。为提高电流容量，出现了多芯片封装技术，各种电流电压等级、电路形式及封装形式的IGBT模块相继推出。经过二十多年的发展，由于其优越的性能，IGBT已经成为电力电子的“核芯”，广泛应用与轨道交通、智能电网、电动汽车、新能源等领域。 中车时代半导体是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一。曾研发出世界上第一只6英寸UHVDC 8500V商用晶闸管，大批量应用于轨道交通、电网、高端工业装备。近年来中车时代半导体一直致力于开展高功率密度平面栅IGBT （DMOS+）和沟槽栅-场截止IGBT （TMOS+）技术研究，在株洲建成了8英寸IGBT专业生产线，开发了6